[发明专利]一种用于电阻抗映射成像的感兴趣目标体立体定位方法

权利要求书

1.一种用于电阻抗映射成像的感兴趣目标体立体定位估测方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）基于电磁场计算模型计算分析，建立感兴趣目标体深度近似求解公式；

2）在电阻抗映射成像实际测量中，根据灰度图像确定感兴趣目标体的二维空间位置；

3）建立电阻抗映射成像实际测量数值与感兴趣目标体深度近似求解公式中参数的对应关系；

4）将感兴趣目标体的空间二维信息与目标体的深度信息结合，获得感兴趣目标体的空间立体定位参数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的基于电磁场计算模型建立感兴趣目标体深度近似求解公式，求解过程是：

1）在电磁场模型计算时，设定感兴趣目标体引起的电场扰动感兴趣区域主要分布在检测电极面下的半球形区域内，同时假设扰动感兴趣目标体近似为球体。

2）在电磁场模型计算时，分别在检测区域中包含感兴趣目标体和不包含感兴趣目标体这两种条件下，求解检测电极表面的电流密度表达式；

3）利用检测电极平面的电流信息及相应电极单元的位置信息表示感兴趣目标区域的深度，得到感兴趣目标体的深度求解公式。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的感兴趣目标体深度近似求解公式中的关键参数包括i(x₀,y₀),i⁰(x₀,y₀),i(a,b),i⁰(a,b)，其中i(x₀,y₀)是感兴趣目标体在检测电极面上投影区中心位置的测量值其电极坐标为（x₀,y₀），i⁰(x₀,y₀)是感兴趣目标体不存在时对应于电极坐标（x₀,y₀）处的测量值，i(a,b)感兴趣目标体在检测电极面上投影区中心位置外任意坐标（a,b）处的测量值,i⁰(a,b)是感兴趣目标体不存在时对应于电极坐标（a,b）处的测量值。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的建立电阻抗映射成像实际测量数值与感兴趣目标体深度近似求解公式中参数的对应关系，其步骤如下：

1）首先根据电阻抗映射成像二维灰度图确定感兴趣目标体在检测电极平面的投影区域范围；

2）求解感兴趣目标体在检测电极平面投影区域以外的所有测量值的平均值I_mean；

3）确定感兴趣目标体所对应的最大测量值I_max，及该最大测量值所对应的电极单元坐标(X_max,Y_max)；

4）确定感兴趣目标体在检测电极平面投影区域内实测数据曲线的半峰值I_half，即I_half＝1/2(I_max-I_mean)，并进一步寻找接近I_half值的实测数据所对应检测电极单元的坐标（X_half,Y_half）；

5）建立实际测量数值与深度近似求解公式中各参数的对应关系。

5.如权利要求3或4所述方法，其特征在于，所述的建立实际测量数值与深度近似求解公式中各参数的对应关系是将实际测量数值带入深度近似求解公式计算时，用I_max替代i(x₀,y₀)，用I_half替代i(a,b)，用I_mean替代i⁰(x₀,y₀)和i⁰(a,b)。