[发明专利]一种微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法无效
| 申请号： | 201210429496.5 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102899513A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 袁斌;郑佩琪;戴维杜南 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/00 | 分类号： | C22C1/00;C22C30/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微米 nimnga 磁性 记忆 合金管 制备 方法 | ||
1.一种微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将微米级纯镍管清洗干净后烘干；
（2）在纯镍管的外表面镀上一层纯锰；
（3）在纯镍管的空心部分充满液态纯镓，然后垂直放入管式炉中，在保护气体氛围下进行加热，随炉冷却，得到微米级NiMnGa磁性记忆合金管。
2.根据权利要求1所述的微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，步骤（2）中在纯镍管的外表面镀上一层纯锰后，还进行以下步骤：将样品垂直放入管式炉中，在氩气氛围下进行加热，气体压力为1.1～2大气压；加热温度为750℃～1050℃，加热时间为5h～30h，随炉冷却后取出。
3.根据权利要求1所述的微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述纯镍管采用机械加工或化学镀法制得；所述纯镍管的管厚为0.5～200μm，管的内径为1.5～650μm。
4.根据权利要求1所述的微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述在纯镍管的空心部分充满液态纯镓，具体为：
在温度为30～80℃的条件下，在纯镍管的空心部分充满液态纯镓。
5.根据权利要求1所述的微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述在保护气体氛围下进行加热，具体为：
在氩气氛围下进行加热，气体压力为1.1～2大气压；加热温度为950℃～1150℃，加热时间为2.5h～30h。
6.根据权利要求1所述的微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，步骤（3）所得微米级NiMnGa磁性记忆合金管中由以下按质量百分比计的成分组成：
Ni 40～60％
Mn 22～35％
Ga 18～25％。
7.根据权利要求1所述的微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述清洗，具体为：
将微米级纯镍管分别在丙酮、酒精和去离子水中超声清洗15~30分钟。
8.根据权利要求2所述的微米级NiMnGa磁性记忆合金管的制备方法，其特征在于，先进行步骤（3）后进行步骤（2）。
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