[发明专利]发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包括：

基板；

第一导电型半导体层，位于所述基板上；

发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；

第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；

正电极，位于所述第二导电型半导体层的正面；以及

负电极，至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述负电极至少还部分位于所述第一导电型半导体层的正面。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述负电极至少还部分位于所述发光层的侧面、所述第二导电型半导体层的侧面以及所述第二导电型半导体层的正面。

4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一导电型半导体层的形成有所述负电极的侧面为倾斜面。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。

6.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述负电极至少部分位于所述第一导电型半导体层的一个侧面、两个侧面、三个侧面或者四个侧面上。

7.根据权利要求1中任一项所述的发光元件，其特征在于，还包括保护层，所述保护层位于所述正电极与所述负电极之间，并从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层。

8.一种发光元件制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层的正面形成发光层；

在所述发光层的正面形成第二导电型半导体层；

形成第一沟槽，所述第一沟槽从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层的正面以及所述第一沟槽的底面和周面上形成反射层；

在所述反射层上形成电极层；以及

分离步骤：去除掉部分所述反射层和所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的正电极和至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面的负电极。

9.根据权利要求8所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述第一沟槽位于所述发光元件的一个侧面、两个侧面、三个侧面或四个侧面上。

10.根据权利要求8所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述分离步骤包括：

去除掉部分所述反射层和所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的正电极和至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面和正面的负电极。

11.根据权利要求8所述的发光元件制作方法，其特征在于，所述分离步骤包括：

去除掉部分所述反射层和所述电极层，使得所述电极层分离成位于所述第二导电型半导体层的正面的正电极和至少部分位于所述第一导电型半导体层的侧面、所述发光层的侧面、所述第二导电型半导体层的侧面和正面的负电极。

12.根据权利要求8所述的发光元件制作方法，其特征在于，还包括：

形成从所述第二导电型半导体层延伸至所述第一导电型半导体层的第二沟槽，并在所述第二沟槽中形成保护层。