[发明专利]一种金属栅电极的制造方法有效
| 申请号： | 201210429761.X | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969234B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 电极 制造 方法 | ||
1.一种金属栅电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上形成多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的侧墙，以及源漏区；
在上述步骤形成的结构表面形成薄氧化层；
在所述薄氧化层上淀积牺牲介质以形成牺牲层，回刻所述牺牲层及所述薄氧化层以露出所述多晶硅栅极的上表面，其中所述牺牲介质为有机化合物；
沉积金属镍层，并进行第一次退火；
通过腐蚀工艺同时去除未反应的所述金属镍层及所述牺牲层；
进行第二次退火，形成全硅化物金属栅电极；以及
去除所述薄氧化层。
2.根据权利要求1所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述薄氧化层通过等离子增强化学气相沉积而成。
3.根据权利要求2所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述薄氧化层厚度为10nm～30nm。
4.根据权利要求1所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述有机化合物为包含碳、氮和氧的环状大分子有机化合物。
5.根据权利要求4所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述牺牲层通过旋转涂布工艺沉积而成。
6.根据权利要求5所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为400nm～600nm。
7.根据权利要求1所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述金属镍层通过物理气相沉积法沉积而成。
8.根据权利要求7所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述金属镍层的厚度为60nm～200nm。
9.根据权利要求1所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述第一次退火采用快速热退火工艺，退火温度为300℃～350℃，退火时间为20秒～60秒。
10.根据权利要求9所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述第二次退火采用快速热退火工艺，退火温度为400℃～600℃，退火时间为30秒～90秒。
11.根据权利要求4所述的金属栅电极的制造方法，其特征在于，所述腐蚀工艺为通过腐蚀溶液同时去除未反应的所述金属镍层及所述牺牲层，所述腐蚀溶液为H2SO4和H2O2的混合溶液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210429761.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：废旧塑料再生造粒系统
- 下一篇：切铲两用切片
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
