[发明专利]一种钕铁硼不饱和吸氢工艺方法无效
申请号: | 201210430345.1 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN102886523A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 马跃华;贾建伟;崔学军;范正为;贾建华 | 申请(专利权)人: | 山西京宇天成科技有限公司 |
主分类号: | B22F9/04 | 分类号: | B22F9/04 |
代理公司: | 太原同圆知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14107 | 代理人: | 王金锁 |
地址: | 045201 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钕铁硼 不饱和 工艺 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种钕铁硼氢破工艺,具体涉及一种钕铁硼不饱和吸氢工艺方法。
背景技术
现有钕铁硼氢破工序的吸氢工艺主要是充入足量的氢气,先是富钕相吸氢,使得主相晶粒从富钕相包围中剥离,然后,富钕相继续吸氢,主相晶粒也开始吸氢,直到氢破炉内氢气压力不再降低,表明吸氢饱和。事实上,这种饱和吸氢对于钕铁硼的微观组织破坏是非常明显的。首先,全部是氢气时,尤其开始反应时,反应比较剧烈,往往局部富钕相吸氢较多,氢破炉内死角速凝片吸氢叫少,导致吸氢不均匀;其次,饱和吸氢时,绝大部分主相也参与了吸氢,这就导致后续烧结后用金相分析仪观察微观组织时,主相晶粒耐腐蚀性降低,导致表面电镀处理难度加大。第三,饱和吸氢时,细粉产生较多,由于细粉的比表面积较大,因此,不利于后续工艺中氧含量控制和粒度分布控制。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够均匀吸氢,并且能够最大限度的保证主相晶粒不吸氢,不被破坏,最终达到改善钕铁硼磁体微观组织的吸氢工艺方法。
本发明的技术方案:一种钕铁硼不饱和吸氢工艺方法,所述的方法包括以下步骤:
(1)装料:将宽度为10—30mm,厚度为0.35—0.55mm的速凝片装入氢破炉中;
(2)吸氢:往氢破炉中通入氢气,氢气的压力为原饱和吸氢量的2/3,氢气的通入量为原饱和吸氢量的1/2,另外充入压力为原饱和吸氢量1/3的惰性气体氩气,氩气的通入量为原饱和吸氢量的1/2,两者混合后进行缓慢旋转式吸氢,待氢破炉内混合气体压力不在发生变化并达到稳定值0.005Mpa—0.01MPa后,吸氢过程结束。
所述的原饱和吸氢的方法,主要是通入纯度为99.9%压力为0.15Mpa的氢气,且整个过程不能有氧气,由于全部为氢气,所以吸氢较为剧烈,主相和富钕相同时吸氢,主相晶粒破坏较为厉害,对产品磁性能有较大影响,然后按照钕铁硼速凝薄片吸氢原理进行吸氢,随着旋转式氢破炉不断旋转(氢破炉的旋转速率为2—3秒/圈),炉内速凝片充分吸氢破碎,最终氢气吸入量达到80Mpa—100Mpa(针对500Kg装炉量,不同装炉量按比例计算),且炉内压力降低达到稳定值0.005Mpa—0.01Mpa,速凝片不再发生吸氢反应,则饱和吸氢过程结束;
本发明的钕铁硼不饱和吸氢方法,是通入纯度为99.9%压力为0.10Mpa的氢气,且整个过程不能有氧气,另外同时通入0.05Mpa的惰性气体氩气,由于惰性气体和氢气混合后,对氢气浓度进行了充分稀释,使得反应不剧烈,较为平缓,最大程度的保证了主相晶粒的完整,然后按照钕铁硼速凝薄片吸氢原理进行吸氢,随着旋转式氢破炉不断旋转(氢破炉的旋转速率为2—3秒/圈),炉内速凝片充分吸氢破碎,最终氢气吸入量达到40—50Mpa(针对500Kg装炉量,不同装炉量按比例计算)时,待氢破炉内混合气体压力不在发生变化并达到稳定值0.005Mpa—0.01MPa后,吸氢过程结束。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果:首先,主相晶粒完整;其次,富钕相晶粒不会发生局部富集;再次,细粉的减少,保证粉体抗氧化性的增强;最后,钕铁硼磁体的矫顽力上升幅度明显。
具体实施方式
本发明针对500Kg装炉量进行钕铁硼不饱和吸氢,对本发明的方法作进一步的详细说明:
第一步:装料,将宽度为30mm,厚度为0.55mm的速凝片装入氢破炉中;
第二步:吸氢:向氢破炉中通入纯度为99.9%压力为0.10Mpa的氢气,且整个过程不能有氧气,另外同时通入0.05Mpa的惰性气体氩气,由于惰性气体和氢气混合后,对氢气浓度进行了充分稀释,使得反应不剧烈,较为平缓,最大程度的保证了主相晶粒的完整,然后按照钕铁硼速凝薄片吸氢原理进行吸氢,随着旋转式氢破炉不断旋转(氢破炉的旋转速率为3秒/圈),炉内速凝片充分吸氢破碎,最终氢气吸入量达到50Mpa,氩气的通入量为50Mpa,待氢破炉内混合气体压力不在发生变化并达到稳定值0.01MPa后,吸氢过程结束。本发明针对不同装炉量按比例计算。
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