[发明专利]一种掩膜板及其制备方法有效
| 申请号： | 201210430683.5 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102955354A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳;邓立赟;金玟秀;杜雷;王凯;张敏 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 及其 制备 方法 | ||
1.一种掩膜板，其特征在于，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体具有非透光区和透光区，所述透光区具有由光刻胶制备而成的透光膜，所述透光膜的吸光率由其中线向两侧非透光区的方向逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光膜中部具有弧形凹面，由所述透光膜的中线向两侧非透光区的方向，所述透光膜的厚度由中间向两侧逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶或者负性光刻胶。
4.根据权利要求1~3任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述透光膜位于所述掩膜板本体的一侧。
5.根据权利要求1~3任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述透光膜位于所述透光区的透光狭缝内。
6.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
在所述掩膜板本体上涂覆一层光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，在所述掩膜板本体的透光区形成所述透光膜。
7.根据权利要求6所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶。
8.根据权利要求7所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，对光刻胶进行曝光显影中包括：
遮住所述掩膜板的透光区对所述光刻胶层进行第一次曝光显影，在所述透光区形成中间厚两侧薄的剩余光刻胶；
沿所述剩余光刻胶的宽度方向，遮住剩余光刻胶的两侧，对所述剩余光刻胶进行第二次曝光显影，形成中间薄两侧厚的透光层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
