[发明专利]一种快闪存储器的擦除方法和装置

说明书

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术领域，特别是涉及一种快闪存储器的擦除方法和装置。

背景技术

受快闪存储器生产工艺的影响，其内部存储单元的性能会出现较大范围的变化，这将导致同一批产品中的不同快闪存储器，或者同一个快闪存储器在生命周期的不同阶段，擦除性能会出现较大的变化，擦除性能不稳定。

而且，目前的技术通常是通过设计少数几种调试位，调节同一批产品中不同快闪存储器的擦除电压和擦除时间。具体如图1所示，Trim表示各调试位，各调试位中的擦除电压和擦除时间由实际测试结果确定。在一批产品中，一旦选定了某种调试位，该种调试位就会应用于整个产品的生命周期中，即用该调试位对应的擦除电压和擦除时间对该批产品中的所有快闪存储器进行擦除操作。这种方法忽略了同一批产品中不同快闪存储器之间的区别，以及同一个快闪存储器在使用过程中的性能衰退情况，导致同一批产品的整体擦除速度慢，和同一个快闪存储器在生命周期中擦除速度越来越慢的问题。

同时，在设计几种调试位时，也增加了产品的测试成本。

发明内容

本发明公开一种快闪存储器的擦除方法和装置，以解决现有技术对同一批产品的整体擦除速度慢，以及同一个快闪存储器的擦除速度越来越慢的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种快闪存储器的擦除方法，包括：

预先生成n个不同的擦除强度组合，n≥2，n为自然数，并设定擦除操作的最大擦除次数，所述n个不同的擦除强度组合包括第一次擦除操作的擦除强度组合；

根据所述n个不同的擦除强度组合中的第一次擦除操作的擦除强度组合对快闪存储器进行擦除操作，并生成擦除信号，所述擦除信号包括第一擦除信号、第二擦除信号和终止擦除信号；

根据所述擦除信号选择下一次擦除操作的擦除强度组合或终止擦除操作；

进行擦除、生成擦除信号和选择擦除强度组合的循环操作，直至擦除操作的次数等于所述最大擦除次数或所述擦除信号为所述终止擦除信号为止。

优选的，所述n个不同的擦除强度组合中的每个擦除强度组合，包括：设定的擦除电压差和设定的擦除时间。

优选的，所述第一次擦除操作的擦除强度组合中设定的擦除电压差为所述n个不同的擦除强度组合中设定的擦除电压差的最小值；

所述第一次擦除操作的擦除强度组合中设定的擦除时间为所述n个不同的擦除强度组合中设定的擦除时间的最小值。

优选的，所述生成擦除信号之前，还包括：

统计擦除操作的次数，并记录各次擦除操作的时间。

优选的，所述生成擦除信号，包括：

当记录到的某次擦除操作的时间小于等于该次擦除操作对应的擦除强度组合中设定的擦除时间的一半时，生成所述第一擦除信号；

当记录到的某次擦除操作的时间大于该次擦除操作对应的擦除强度组合中设定的擦除时间的一半，且小于等于该次擦除操作对应的擦除强度组合中设定的擦除时间时，生成所述第二擦除信号；

当统计到的擦除操作的次数等于所述最大擦除次数时，生成所述终止擦除信号。

优选的，所述根据所述擦除信号选择下一次擦除操作的擦除强度组合或终止擦除操作，包括：

当所述擦除信号为所述第一擦除信号时，选择下一次擦除操作的擦除强度组合为设定的擦除电压差不变、设定的擦除时间增加的擦除强度组合；

当所述擦除信号为所述第二擦除信号时，选择下一次擦除操作的擦除强度组合为设定的擦除电压差增加、设定的擦除时间增加的擦除强度组合；

当所述擦除信号为所述终止擦除信号时，终止擦除操作。

优选的：当所述擦除信号为所述第一擦除信号时，下一次擦除操作的擦除强度组合的设定的擦除时间为T_m＝T_min+m*△T/n；

其中，T_m为下一次擦除操作的擦除强度组合的设定的擦除时间，T_min为所述第一次擦除操作的擦除强度组合的设定的擦除时间，m为擦除级别，n为所述擦除强度组合的数量，△T=T_max-T_min，T_max为所述n个不同的擦除强度组合中设定的擦除时间的最大值n，n≥2，m≥1，n、m均为自然数。

优选的：当所述擦除信号为所述第二擦除信号时，下一次擦除操作的擦除强度组合的设定的擦除电压差为V_m=V_min+m*△V/n；