[发明专利]等离子反应器及制作半导体基片的方法

权利要求书

1.一种等离子反应器，包括：

封闭壳体，其包括顶板，所述顶板构成一绝缘材料窗；

基片支撑装置，设置于所述封闭壳体内的绝缘材料窗下方；

射频功率发射装置，设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述封闭壳体内；

气体注入器，用于向所述封闭壳体内供应等离子体处理气体，

挡板，设置于所述封闭壳体侧壁以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方，所述挡板与所述绝缘材料窗之间设置一空间，所述等离子体处理气体在所述空间内解离形成等离子体；所述的挡板包括一个设有中间开口的隔板和一个沿所述隔板中间开口向所述顶板延伸的侧壁，所述侧壁上设有若干个径向分布不均匀的孔或者所述侧壁在不同的径向位置具有不同的高度，所述侧壁引导所述等离子体及所述等离子体处理气体从所述空间内扩散到所述中间开口，经所述中间开口向下扩散到所述基片支撑装置上方，以径向不均匀地限制等离子体及等离子体处理气体的流动。

2.根据权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于：所述孔大小不同。

3.根据权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于：所述孔形状不同。

4.根据权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于：所述挡板包括导电材料。

5.根据权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于：所述挡板包括一埋设于其中的射频天线。

6.根据权利要求5所述的等离子反应器，其特征在于：所述挡板包括一埋设有射频天线于内的绝缘圆盘，一个导体盘设置于所述挡板的一侧以阻止射频辐射穿过所述挡板。

7.根据权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于：所述的挡板可竖直移动。

8.一种制作半导体基片的方法，包括：

将基片放置在等离子反应器内的基片支撑装置上，所述等离子反应器包括一个由圆柱形侧壁和顶板构成的封闭壳体，至少部分所述顶板构成一绝缘材料窗，一射频功率发射装置，设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量穿过绝缘材料窗进入所述封闭壳体内；若干个气体注入器均匀地分布在所述基片支撑装置上方；

在所述封闭壳体侧壁设置一个有孔的环形挡板，以改变气流分布，所述挡板位于基片支撑装置的上方和气体注入器的下方，以此在所述基片上方限定一段间隙；

提供反应气体到所述气体注入器；

提供射频功率到射频功率发射装置；

所述的挡板包括一个设有中间开口的隔板和一个沿所述隔板中间开口向所述顶板延伸的侧壁，所述隔板与所述绝缘材料窗之间设置一空间，所述等离子体处理气体在所述空间内解离形成等离子体；所述侧壁上设有若干个径向分布不均匀的孔或者所述侧壁在不同的径向位置具有不同的高度，所述侧壁引导所述等离子体及所述等离子体处理气体从所述空间内扩散到所述中间开口，经所述中间开口向下扩散到所述基片支撑装置上方，以径向不均匀地限制等离子体处理气体的流动。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：还包括改变所述孔的直径。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述改变气流分布的步骤包括生成径向不均匀的气流。