[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，其特征在于：所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。

2.如权利要求1所述射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述多晶硅栅为台阶型。

3.如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于：还包括多晶硅下方氧化层，所述氧化层的结构为台阶型，即所述多晶硅栅下方的氧化层比所述多晶硅法拉第屏蔽层下方的氧化层薄。

4.如权利要求3所述的射频横向双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述多晶硅法拉第屏蔽层下方的氧化层的厚度为0.1微米-1微米，所述多晶硅栅下方的氧化层的厚度为0.005微米-0.1微米。

5.一种如权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在P型衬底上生长P型外延层；通过光刻板定义出轻掺杂漂移区，进行离子注入；

步骤2、进行热氧生长一层较厚的氧化层，然后通过光刻板定义并将源端和栅极下方的氧化层全部或者部分去除，然后再进行一次热氧过程，生长一层较薄的氧化层，使之成为台阶形的氧化层结构；

步骤3、淀积多晶硅，光刻板定义并刻蚀出多晶硅栅和法拉第屏蔽层；

步骤4、P阱的形成方式，在多晶硅栅形成后通过自对准的工艺，加高温推进形成；

步骤5、源漏端重掺杂区的形成方式，通过光刻版分别依次定义出源端N+区域、漏端N+区域和P+区域，分别进行离子注入；

步骤6、多晶硅塞或者金属塞的形成，通过模板定义出多晶硅塞或者金属塞的位置和大小，淀积多晶硅或者金属塞；

步骤7、进行后续工艺，形成RFLDMOS。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤1所述离子为磷或砷。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤1所述离子注入，其能量为10keV-500keV，剂量为10¹¹-10¹³cm^-2。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤2中所述的较厚氧化层的厚度为0.1微米-1微米；所述较薄氧化层的厚度为0.005微米-0.1微米。

9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤4中所述P阱的杂质为硼，能量为30-80keV，剂量为10¹²-10¹⁴cm^-2。

10.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤5中所述源端N+区域及漏端N+区域的杂质为磷或砷，能量为0keV-200keV，剂量为10¹³-10¹⁶cm^-2。

11.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤5中所述P+区域杂质为硼或者二氟化硼，其能量为0keV-100keV，剂量为10¹³-10¹⁶cm^-2。