[发明专利]一种寄生效应低品质因数高的差分开关电容结构有效
申请号: | 201210433084.9 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN103001618A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 郭斌 | 申请(专利权)人: | 长沙景嘉微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/56 | 分类号: | H03K17/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 寄生 效应 品质因数 开关 电容 结构 | ||
1.一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构,其特征在于:它包括左右两条开关电容支路,输入信号为数字控制信号D,输出信号为P和N。
2.根据权利要求1所述的差分开关电容结构,左右两条开关电容支路的电容C1和C2容值相同,反相器INV(001)和反相器INV(002)尺寸相同,开关管N1和N2尺寸相同,电阻R1和R2阻值相同。
3.根据权利要求1所述的差分开关电容结构,其特征在于:第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第一反相器(001)、第二反相器(002)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一金属电容(C1)、第二金属电容(C2),其中第一NMOS管(N1)的栅极接数字控制信号D,漏极接第一金属电容(C1)的一端,源极接地,第一反相器INV(001)的输入接数字控制信号D,输出接第一电阻(R1)的一端,第一电阻(R1)的另一端接第一NMOS管(N1)的漏极,第一金属电容(C1)的另一端接输出P,第二NMOS管(N2)的栅极接数字控制信号D,漏极接第二金属电容(C2)的一端,源极接地,第二反相器INV(002)的输入接数字控制信号D,输出接第二电阻(R2)的一端,第二电阻(R2)的另一端接第二NMOS管(N2)的漏极,第二金属电容(C2)的另一端接输出N,第三NMOS管(N3)的漏极接第一NMOS管(N1)的漏极,源极接第二NMOS管(N2)的漏极,栅极接数字控制信号D。
4.根据权利要求1所述的差分开关电容结构,电阻R1和R2阻值要求在MΩ级。
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