[发明专利]晶片加工方法

权利要求书

1.一种晶片加工方法，所述晶片加工方法为将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于，

所述晶片加工方法具备：

层叠晶片形成步骤，在该层叠晶片形成步骤中，将晶片的表面贴附于支承基板上以形成层叠晶片；

倒角部除去步骤，在该倒角部除去步骤中，将切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋转轴线；以及

薄化步骤，在该薄化步骤中，在所述倒角部除去步骤实施后，对所述层叠晶片的所述晶片的背面侧进行磨削以将晶片薄化至预定厚度。

2.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其中，

所述晶片加工方法还具备保持步骤，在该保持步骤中，在所述倒角部除去步骤实施前，以切削装置的卡盘工作台对所述层叠晶片的靠所述支承基板的那一侧进行保持，

在所述倒角部除去步骤中，将具有与所述卡盘工作台的旋转轴线平行的旋转轴线的切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，并从所述层叠晶片的外周侧向中心切入，使所述卡盘工作台至少旋转1周，从而将从所述晶片的表面至所述预定厚度的倒角部除去。