[发明专利]一种频段可编程LC_DCO电路结构

权利要求书

1.一种频段可编程LC_DCO电路结构，其特征在于由交叉耦合无尾电流源互补的可编程负阻模块、可编程电感结构和两级开关电容阵列组成。

2.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的交叉耦合无尾电流源互补负阻电路包括两个P型晶体管MP1和MP2，两个N型晶体管MN1和MN2，晶体管MP1的栅极和晶体管MN1的栅极互连接到输出端OUTBAR，晶体管MP1的漏极和晶体管MN1的漏极互连接到输出端OUT，晶体管MP1的源极接电源，晶体管MN1的源极接地线，晶体管MP2的栅极和晶体管MN2的栅极互连接到输出端OUT，晶体管MP2的漏极和晶体管MN2的漏极互连接到输出端OUTBAR，晶体管MP2的源极接电源，晶体管MN2的源极接到地线。

3.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的电流源包括左右两条支路上的电流源，左支路的电流源一端接电源，一端接晶体管MN5的漏极，晶体管MN5的栅极与漏极短接，源极接地，右支路的电流源一端接电源，一端接晶体管MN6的漏极，晶体管MN6的栅极与漏极短接，源极接地。

4.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的可编程电流镜包括左右两个部分，其中左半部分的晶体管MN3_1，MN3_2….MN3_n的栅极接晶体管MN5的栅极，漏极分别通过开关sw_1、sw_2…..sw_n连接到输出端OUT，源极均接地，右边部分的晶体管MN4_1，MN4_2…..MN4_n的栅极接晶体管MN6的栅极，漏极分别通过开关sw_1、sw_2…..sw_n连接到输出端OUTBAR，源极均接地。

5.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的可编程电流镜中的MN3_1、MN3_2…..MN4_n以及MN4_1、MN4_2…..MN4_n的尺寸相同，且与晶体管MN5和晶体管MN6尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的可编程电感结构中的L1、L2…..LN的一端均接到输出端OUT，另一端分别与对应的开关s_1、s_2…..s_n的一端相接，开关s_1、s_2…..s_n的另一端均接到输出端OUTBAR。

7.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的可编程电感结构中的L1、L2…..LN采用键合线技术实现，其中键合线的长度、材料、间距和半径近似相同。

8.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的一级开关电容阵列有带权重的容值较大的开关电容构成，实现DCO的粗调，加快频率综合器的锁定速度。

9.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的二级开关电容阵列由权重相同的容值较小的开关电容构成，实现DCO的微调，提高频率综合器的锁定精度。

10.根据权利要求1所述的可编程LC_DCO电路结构，其特征在于所述的两级开关电容阵列均采用差分技术实现。