[发明专利]一种衬底的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210433685.X | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103794488B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/268;C23F1/02;B23K26/362 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 刻蚀 方法 | ||
1.一种衬底的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一衬底，其中，所述第一衬底为Si衬底；
在所述第一衬底之上形成第一掩膜图形，所述第一掩膜图形穿透所述第一衬底；
将所述第一衬底转移至第二衬底；以及
通过所述第一衬底之上的第一掩膜图形对所述第二衬底进行刻蚀，其中，刻蚀后的第二衬底具有与第一掩膜图形对应的图形，并达到所需的刻蚀深度，其中，刻蚀深度达到100um。
2.如权利要求1所述的衬底的刻蚀方法，其特征在于，在第一衬底之上形成第一掩膜图形，进一步包括：
在所述第一衬底之上形成光刻胶，其中，所述光刻胶具有与所述第一掩膜图形对应的第二掩膜图形；以及
通过所述第二掩膜图形刻蚀所述第一衬底以形成所述第一掩膜图形。
3.如权利要求2所述的衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀为深反应离子刻蚀。
4.如权利要求1所述的衬底的刻蚀方法，其特征在于，通过激光刻蚀在第一衬底之上形成第一掩膜图形。
5.如权利要求1所述的衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述第二衬底为玻璃、SiO2或Si。
6.如权利要求1所述的衬底的刻蚀方法，其特征在于，还包括：
对具有第一掩膜图形的第一衬底进行抛光处理以达到预设的厚度。
7.如权利要求1所述的衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底通过粘接或通过键合相互固定。
8.如权利要求1所述的衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述第一衬底为具有预设厚度的硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
