[发明专利]氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法

权利要求书

1.一种氧化硅用研磨剂，其为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。

2.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其中，所述聚乙烯吡咯烷酮类的含量为0.005~5质量%。

3.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其中，所述聚乙烯吡咯烷酮类的重量平均分子量为10,000~1,200,000。

4.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其pH值为5.0~12.0。

5.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其pH值为6.0~7.0。

6.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其进一步包括聚丙烯酸、聚丙烯酸盐和含有丙烯酸盐单元的共聚物中的至少任一种。

7.根据权利要求6所述的氧化硅用研磨剂，其中聚丙烯酸、聚丙烯酸盐和含有丙烯酸盐单元的共聚物中的至少一种的含量为0.01~5质量%。

8.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其中，所述研磨粒包含氧化铈。

9.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其进一步含有研磨粒的分散剂。

10.根据权利要求9所述的氧化硅用研磨剂，其中，所述研磨粒的分散剂的添加量相对于研磨粒100质量份为0.01~5.0质量份。

11.根据权利要求1~10中任一项所述的氧化硅用研磨剂，其作为二液式研磨剂保存，该二液式研磨剂分为含研磨粒和水的研浆、以及含多晶硅研磨抑制剂和水的添加液。

12.根据权利要求11所述的氧化硅用研磨剂，其中，所述研磨粒的分散剂包含于研浆中。

13.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其中，所述研磨粒包含氧化硅。

14.根据权利要求1所述的氧化硅用研磨剂，其进一步包括从具有丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α-取代衍生物所组成的组中的任一种N-单取代衍生物或N,N-二取代衍生物骨架的水溶性高分子、聚乙二醇、炔系二醇的氧化乙烯加成物、下述通式（Ⅲ）所表示的化合物、下述通式（Ⅳ）所表示的化合物以及烷氧基化直链脂肪醇中选出的一种以上的多晶硅研磨抑制剂，

R¹-C≡C-R²    (III)

通式（Ⅲ）中，R¹表示氢原子或碳原子数1~5的取代或未取代烷基，R²表示碳原子数4~10的取代或未取代烷基；

通式（Ⅳ）中，R³~R⁶各自独立表示氢原子或碳原子数1~5的取代或未取代烷基，R⁷、R⁸各自独立表示碳原子数1~5的取代或未取代的亚烷基，m、n各自独立表示0或正数。

15.一种用于研磨方法的用途，所述研磨方法为使用权利要求1~14中任一项所述的氧化硅用研磨剂来研磨在多晶硅上形成有氧化硅的基板的所述氧化硅膜，并且在所述多晶硅膜露出时抑制对多晶硅膜的研磨。

16.权利要求1~14中任一项所述的氧化硅用研磨剂的用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨的用途。

17.权利要求1~14中任一项所述的氧化硅用研磨剂用于研磨的用途，所述研磨为研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在所述多晶硅膜露出时抑制对多晶硅膜的研磨的进行。

18.一种半导体基板的研磨方法，其使用权利要求1~14中任一项所述的氧化硅用研磨剂。

19.一种研磨方法，其是将研磨对象物以其被研磨面与研磨垫处于相对的状态下保持于所述研磨垫上，在所述研磨垫与所述被研磨面之间供给研磨剂，同时使所述研磨垫与所述研磨对象物相对滑动以研磨研磨对象物，其中所述研磨剂使用权利要求1~14中任一项所述的氧化硅用研磨剂。