[发明专利]一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体集成电路制造工艺，涉及一种钝化层的制作方法，尤其涉及一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法。

背景技术

非感光性polyimide(聚酰亚胺)材料由于其良好的耐高温特性、机械性能、电学性能以及化学稳定性，已被广泛的应用于半导体器件的钝化层工艺中，以减少各种自然环境和工作环境对半导体器件造成的损害，从而提高器件的可靠性和稳定性。

一般传统的非感光性聚酰亚胺钝化层制作工艺流程如图1所示，首先在需要制作非感光性聚酰亚胺钝化层的硅片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤，再在非感光性聚酰亚胺上进行光刻胶的旋涂和烘烤，然后通过曝光显影的方法将已曝光的光刻胶及其底部的非感光性聚酰亚胺同时显影去除获得所需的非感光性聚酰亚胺和光刻胶图形，再将未曝光的光刻胶通过光刻胶剥离液去除，经固化后获得非感光性聚酰亚胺钝化层。但在实际研发和使用过程中，这种方法存在如图2和图3所示的两个缺点：缺点一是显影过程中，为了保证非感光性聚酰亚胺的充分显影，通常显影时间较长，这样在非感光性聚酰亚胺膜厚较小的地方会因为过显影而使显影液腐蚀非感光性聚酰亚胺底部的顶层金属铝线(如图2所示)，进而影响半导体器件的性能；缺点二是在显影过程中，由于显影液显影能力的各向同性的特征，因此在显影液对非感光性聚酰亚胺的厚度方向进行显影时，非感光性聚酰亚胺的侧向也会受到来自显影液的同样程度的显影(即显影液对下层非感光性聚酰亚胺的纵向和横向可同时显影)，这就导致了非感光性聚酰亚胺的形貌会非常斜且不可控(如图3所示)，这种很斜的形貌不仅影响最终器件的性能，同时也使得钝化层的开孔(PAD)与开孔之间的距离不能太小，这不利于器件的小型化。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，以解决传统非感光性聚酰亚胺工艺中顶层金属铝线被显影液腐蚀以及非感光性聚酰亚胺的形貌差等问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，包括如下步骤：

(1)在需要制作钝化层的硅片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤；

(2)在非感光性聚酰亚胺上进行光刻胶的旋涂和烘烤；

(3)用具有钝化层图形的掩模版进行浅层曝光，在光刻胶上形成钝化层图形的潜影；

(4)用硅烷化剂对上述具有钝化层图形潜影的光刻胶进行硅烷基化处理，将钝化层图形的潜影转化成硅烷基化图形；

(5)以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺，形成钝化层图形；

(6)用光刻胶剥离液除去光刻胶以及硅烷基化图形；

(7)将图形化的非感光性聚酰亚胺进行固化，获得所需的非感光性聚酰亚胺钝化层。

在步骤(1)中，根据工艺需求，所述硅片上的顶层金属铝线已经形成，或者所述硅片上的顶层金属铝线以及介质膜钝化层的图形已经形成；优选地，所述硅片上的顶层金属铝线以及介质膜钝化层的图形已经形成，其形成过程包括：在硅片上形成顶层金属铝线,然后沉积介质膜钝化层，在顶层金属铝线的上面刻蚀介质膜钝化层形成焊盘。所述的非感光性聚酰亚胺是指其对波长436纳米的G-line，波长365纳米的I-line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性；所述的非感光性聚酰亚胺经旋涂和烘烤后的薄膜厚度为1-50微米，其烘烤温度为50-200℃，烘烤时间为30秒-2小时。

在步骤(2)中，所述的光刻胶在曝光前不含羟基和羧酸基成分，经曝光后能生成羟基或/和羧酸基成分；所述的光刻胶经旋涂和烘烤后的厚度为0.5-10微米。

在步骤(3)中，所述的浅层曝光光源是波长436纳米的G-line，波长365纳米的I-line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种，优选地，所述的浅层曝光光源是波长365纳米的I-line；所述的钝化层图形的潜影的深度是光刻胶厚度的10%-60%。

在步骤(4)中，所述的硅烷化剂包括六甲基二硅氮烷(HMDS)，四甲基二硅氮烷(TMDS)，二甲基甲硅烷二甲胺(DMSDMA)，N,N-二乙氨基三甲基硅烷(TMSDEA)，优选地，所述的硅烷化剂是六甲基二硅氮烷；所述的硅烷基化处理是将步骤(3)所获得的具有钝化层图形潜影的光刻胶暴露于液态或气态的所述硅烷化剂中，进行化学反应，其反应温度为50-150℃，反应时间为30-300秒。