[发明专利]多晶硅结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210434969.0 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103794485A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张彬;邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 结构 形成 方法 | ||
1.一种多晶硅结构的形成方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成含氮的硬掩膜层；
使用含氢的气体对所述含氮的硬掩膜层进行退火工艺处理；
在所述含氮的硬掩膜层上形成图案化的光阻层；
以所述图案化的光阻层为掩膜，依次刻蚀所述含氮的硬掩膜层和多晶硅层；
去除所述图案化的光阻层和含氮的硬掩膜层，形成多晶硅结构。
2.如权利要求1所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，所述含氮的硬掩膜层的材质为氮化硅。
3.如权利要求1所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，在所述多晶硅层上形成含氮的硬掩膜层之前，在所述多晶硅层上形成多晶硅氧化硅层。
4.如权利要求1所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，在使用含氢的气体对所述含氮的硬掩膜层进行退火工艺处理之后，在所述含氮的硬掩膜层上形成氧化硅层。
5.如权利要求4所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，在所述含氮的硬掩膜层上形成氧化硅层之后，使用氧等离子体对所述氧化硅层表面进行轰击工艺处理。
6.如权利要求5所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，使用电源电解离O2或O3得到所述氧等离子体，所述O2或O3的气体流量范围为100sccm~20000sccm，所述电源功率范围为50W~2000W，所述轰击工艺的反应压力范围为1torr~100torr。
7.如权利要求5所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，使用氧等离子体对所述氧化硅层表面进行轰击工艺处理之后，在所述述氧化硅层上形成不定形碳层。
8.如权利要求1所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围为500摄氏度~800摄氏度，所述退火工艺的反应压力范围为10torr~760torr。
9.如权利要求1所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，所述含氢的气体是氢气。
10.如权利要求9所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，所述氢气的流量范围为10sccm～1000sccm。
11.如权利要求1所述的多晶硅结构的形成方法，其特征在于，在所述含氮的硬掩膜层上形成图案化的光阻层之前，在所述含氮的硬掩膜层上形成抗反射层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
