[发明专利]一种以Sn(IV)的无机配合物诱导合成纳米晶的新方法

权利要求书

1.以Sn(IV)的无机配合物作为表面活性剂条件下诱导合成形貌、尺寸、以及组装行为可控的纳米晶的新方法，其特点在于：Sn(IV) 的各种无机配合物溶解于有机溶剂中作为无机表面活性剂前躯体，通过在上述制备的无机表面活性剂前躯体中直接添加合成纳米晶所需的前驱体合成纳米晶或者添加已经合成好的纳米晶实现纳米晶形貌、尺寸和自组装行为控制。

2.根据权利要求书1所述的以无机配合物诱导合成形貌、尺寸、以及组装行为可控的纳米晶的方法，其中无机配合物包括Sn、In、Ge、Ga等形成的无机配体等，例如：Sn₂S₆^4-、Sn₂Se₆^4-、Sn₂Te₆^4-、In₂Se₆^4-等。

3.根据权利要求书1所述的以无机配合物诱导合成形貌、尺寸、以及组装行为可控的纳米晶的方法，其特点在于形成这种无机配体表面活性剂的溶剂为含过量Se或者S元素的有机溶剂，如十二烷基硫醇、Se的十八烯溶液、Se的液体石蜡溶液等。

4.根据权利要求书1所述的以无机配合物诱导合成形貌、尺寸、以及组装行为可控的纳米晶的方法，其特点在于形成这种无机配体表面活性剂的温度在20-300℃。

5.根据权利要求书1所述的以无机配合物诱导合成形貌、尺寸、以及组装行为可控的纳米晶的方法，其特点在于在形成的无机表面活性剂溶液中加入的合成纳米晶所需前驱体包括各种金属的有机盐前驱体，如Cu，Ag，Au，Zn，Cd，Pb，Pt，Pd等的有机盐溶液。

6.根据权利要求书1所述的以无机配合物诱导合成形貌、尺寸、以及组装行为可控的纳米晶的方法，其特点在于形成的无机表面活性剂溶液中添加的已经合成好的纳米晶包括：一元，二元，三元和多元纳米晶，如Cu、Ag、Au、Pt、等一元纳米晶；Cu₂S、Cu_2-xSe、Cu_2-xTe、PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、InP等二元纳米晶；Zn_xCd_1-xS，Zn_xCd_1-xSe，CuInSe₂，CuInS₂,等三元纳米晶，以及CuGa_xIn_1-xS₂、CuGa_xIn_1-xSe₂、 Cu₂ZnSnSe₄、Cu₂ZnSnS₄等多元纳米晶。

7.根据权利要求书1所述的以Sn(IV)的无机配合物诱导合成形貌、尺寸、以及组装行为可控的纳米晶的方法，其特点在于Sn(IV)等的无机配合物在纳米晶的合成当中可以对纳米晶的形貌、尺寸、以及组装行为进行调控。