[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：

提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOS区域和PMOS区域；

形成NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管包括虚设栅极和虚设栅极绝缘层，其中所述虚设栅极的上表面距离所述半导体衬底的表面的高度为h₀；

在所述NMOS晶体管之上沉积张应力层，所述张应力层的厚度为h₁，其中，h₀＞h₁；

在所述PMOS晶体管之上沉积压应力层，所述压应力层的厚度为h₂，其中，h₀＞h₂；

全面性沉积压应力保护层，所述压应力保护层的材料为氮化硅；

进行第一次CMP工艺，暴露所述虚设栅极的上表面，并在所述张应力层和所述压应力层上方保留部分所述压应力保护层，保留的部分所述压应力保护层的厚度为5-20nm；

依次去除所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层，形成栅极凹槽；

在所述栅极凹槽中，分别形成所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的高K栅绝缘层和金属栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成NMOS晶体管和PMOS晶体管具体包括：

形成所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层；

形成栅极间隙壁；

形成晶体管的源漏区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述NMOS晶体管之上沉积张应力层具体包括：

全面沉积张应力氮化硅膜，用图案化的光刻胶层保护位于所述NMOS晶体管的所述张应力氮化硅膜，去除位于所述PMOS晶体管的所述张应力氮化硅膜，然后去除光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述PMOS晶体管之上沉积压应力层具体包括：

全面沉积压应力氮化硅膜，用图案化的光刻胶层保护位于所述PMOS晶体管的所述压应力氮化硅膜，去除位于所述NMOS晶体管的所述压应力氮化硅膜，然后去除光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一次CMP工艺之前，全面性沉积TEOS层。