[发明专利]一种集成透明OLED微显示的图像收发装置及其制作方法有效
申请号: | 201210435638.9 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN102983154A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 刘萍 | 申请(专利权)人: | 深圳典邦科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/18;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 透明 oled 显示 图像 收发 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种集成透明OLED微显示的图像收发装置,包括基板、所述基板上的用于感光的光电二极管和所述基板上的用于发光的透明OLED,所述OLED发光光谱和所述光电二极管敏感的光谱不重合,其特征在于,还包括阻光层,所述阻光层针对所述光电二极管而设置,用于仅透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光。
2.如权利要求1所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置,其特征在于, 所述OLED用于发射可见光,所述光电二极管用于感应近红外波段的红外光,或者,所述OLED用于发射近红外光,所述光电二极管用于感应可见光波段的光。
3.如权利要求1所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置,其特征在于, 所述光电二极管旁边放置所述OLED,彼此交叉隔开,所述光电二极管相对所述OLED更靠近所述基板,所述阻光层设于所述光电二极管和所述OLED之间。
4.如权利要求3所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置,其特征在于, 所述阻光层形成在所述基板上,或形成在设于所述基板与所述OLED之间的层间绝缘层上。
5.如权利要求3所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置,其特征在于,所述OLED形成在金属间绝缘层之上,所述阻光层设于所述OLED和所述金属间绝缘层之间。
6.如权利要求1所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置,其特征在于, 所述阻光层是光吸收层或滤光膜或光吸收层与滤光膜的结合,所述滤光膜是长波/短波通干涉滤光膜或带通型干涉滤光膜,所述阻光层为光刻成形膜或真空镀膜或高分子材料膜。
7.如权利要求6所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置,其特征在于,所述带通型干涉滤光层是多层介质膜,所述多层介质膜具有由高折射率层和低折射率层交替构成的周期性结构。
8.一种集成透明OLED微显示的图像收发装置的制作方法,包括在基板上形成光电二极管和透明OLED的步骤,其特征在于,还包括在所述光电二极管之上形成阻光层的步骤,所述阻光层仅透过预先设定的由所述光电二极管感应的波段的光。
9.如权利要求8所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置的制作方法,其特征在于, 形成所述光电二极管、所述OLED和所述阻光层的步骤包括:
在p-Si基板上形成所述n阱;
在所述n阱形成所述光电二极管;
在所述光电二极管和所述基板上形成层间绝缘层;
在所述层间绝缘层中形成所述插拴,在所述层间绝缘层上形成金属互连线,所述n阱通过接触件和所述插拴连接到所述金属互连线;
在所述层间绝缘层和所述金属互连线上面形成金属间绝缘层;
在所述金属间绝缘层之上形成所述OLED的金属互连线阳极;和
在完成CMOS标准制造工艺之后,在所述金属间绝缘层上形成所述阻光层。
10.如权利要求9所述的集成透明OLED微显示的图像收发装置的制作方法,其特征在于,所述金属间绝缘层经化学机械抛光或采用平整材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的