[发明专利]太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 201210435824.2 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN103794660A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 高武羣;程立伟;蒋天福;刘政男;郑惠芳 | 申请(专利权)人: | 联景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
太阳能电池基板;
正面电极,配置于所述太阳能电池基板上,所述正面电极包括:
种子层,配置于所述太阳能电池基板上;以及
铜层,配置于所述种子层上;
覆盖层,包覆所述正面电极;以及
背面电极,配置于所述太阳能电池基板上,其中所述正面电极与所述背面电极分别配置于所述太阳能电池基板的相对两个表面上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述种子层的材料包括金属或金属硅化物。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属包括银、镍、钛、钯或钴。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属硅化物包括硅化镍、硅化钛或硅化钴。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述种子层的厚度介于0.05um至10um之间。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述铜层的厚度介于1um至10um之间。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述覆盖层的材料包括镍、银或锡。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面电极的材料包括银、铜、镍、铝、钛或铬。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面电极的结构与所述正面电极的结构相同。
10.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:
提供太阳能电池基板;
于所述太阳能电池基板上形成图案化罩幕层,所述图案化罩幕层暴露出部分所述太阳能电池基板;
于所述图案化罩幕层暴露出的部分所述太阳能电池基板上形成正面电极,所述正面电极的形成方法包括:
于所述图案化罩幕层所暴露出的部分所述太阳能电池基板上形成种子层;以及
于所述种子层上形成铜层;
形成包覆所述正面电极的覆盖层;
移除所述图案化罩幕层;以及
于所述太阳能电池基板上形成背面电极,其中所述正面电极与所述背面电极分别形成于所述太阳能电池基板的相对两个表面上。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述种子层的材料包括金属或金属硅化物。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述金属包括银、镍、钯、钛或钴。
13.根据权利要求11所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述金属硅化物包括硅化镍、硅化钛或硅化钴。
14.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述种子层的厚度介于0.05um至10um之间。
15.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述种子层的形成方法包括电镀、化学镀、物理气相沉积或化学气相沉积。
16.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述铜层的形成方法包括电镀、化学镀、物理气相沉积或化学气相沉积。
17.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述铜层的厚度介于1um至10um之间。
18.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述覆盖层的形成方法包括电镀、化学镀、物理气相沉积或化学气相沉积。
19.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,移除所述图案化罩幕层的步骤在形成所述覆盖层的步骤之后进行。
20.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,移除所述图案化罩幕层的步骤在形成所述种子层的步骤与形成所述铜层的步骤之间进行。
21.根据权利要求10所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述背面电极的形成方法与所述正面电极的形成方法相同。
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