[发明专利]荧光猝灭体系存在内滤效应时荧光猝灭率的精确校正方法有效
申请号: | 201210435968.8 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN102914529A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 陈向东;吴本科;高峰;袁自钧;程萍;王飞;杨继平 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 体系 在内 效应 猝灭率 精确 校正 方法 | ||
1.荧光猝灭体系存在内滤效应时荧光猝灭率的精确校正方法,所述荧光猝灭体系是指:存在荧光内滤效应、且荧光物质与猝灭剂混合后不生成基态复合物的荧光测试样品;其特征是所述校正方法按如下步骤进行:
a、校正竞争吸收对光谱的影响:
以函数I1(λ)表示未加入猝灭剂之前荧光物质受激发后所产生的荧光测量谱,以函数I1'(λ)表示加入猝灭剂后荧光物质实际发出的荧光谱,则有:
式(1)中,ΔE1=ε1c1Δl为猝灭剂对应激发波长的元消光度;ΔE2=ε2c2Δl为荧光物质对应激发波长的元消光度;Δl为样品细分单元层的厚度;n为样品细分单元层的层数;ε1为猝灭剂对应激发波长的摩尔吸收系数;ε2为荧光物质对应激发波长的摩尔吸收系数;c1为猝灭剂的摩尔浓度;c2为荧光物质的摩尔浓度;
令:测量荧光谱时所用样品池的宽度和厚度均为L,设想将样品池中的样品细分为一系列与激发光垂直的等厚单元层,则Δl、n、L三者间的关系为:n×Δl=L;
b、校正再吸收对光谱的影响:
以函数I2(λ)表示加入猝灭剂后混合样品的荧光测量谱,以函数I2'(λ)表示经猝灭过程后实际发生的荧光谱,则有:
式(2)中,ΔE1(λ)=ε1(λ)c1Δl为猝灭剂与波长相关的元消光度函数;ε1(λ)为猝灭剂与波长相关的摩尔吸收系数函数;c1为猝灭剂的摩尔浓度;Δl为样品细分单元层的厚度;n为样品细分单元层的层数;
c、校正吸收分布对光谱的影响:
①任选一种荧光试剂配制成溶液,然后逐次稀释降低溶液的浓度,记录浓度值、并测量相应的荧光谱;对于不同浓度值所对应的荧光谱,分别利用比尔定律计算样品对激发光的吸收量以及样品池前十分之一光程对激发光的吸收与总吸收的百分比Di,并计算相应的荧光积分强度Si;
②计算荧光积分强度Si与样品对激发光的吸收量的比值,并进行归一化处理,得到数据Ci;
③根据样品池前十分之一光程对激发光的吸收与总吸收的百分比Di和数据Ci,做出二者的关系曲线C(d);
④针对步骤a中函数I1(λ)所代表的荧光测量谱,利用比尔定律计算荧光物质在前十分之一光程内对激发光的吸收与总吸收的百分比Dj1,并根据关系曲线C(d)确定与Dj1对应的参数值Cj1;
⑤针对步骤b中函数I2(λ)所代表的荧光测量谱,利用(3)式计算荧光物质在前十分之一光程内对激发光的吸收与总吸收的百分比Dj2,并根据关系曲线C(d)确定与Dj2对应的参数值Cj2;
式(3)中,I0为入射激发光强度,IX为加入猝灭剂后荧光物质对激发光的吸收;
d、计算荧光猝灭率:
分别计算函数I1'(λ)和I2'(λ)的荧光积分强度,记为I1s'和I2s',然后按(4)式计算猝灭率Q:
由式(4)计算所得的Q值就是经过精确校正处理后的荧光猝灭率,该数据消除了荧光内滤效应及吸收分布的影响,与实际猝灭过程相对应。
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