[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a、在基板上依次形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个光刻胶厚度不一的区域，再分区域刻蚀形成第一电极、TFT沟道、数据线、源极和漏极，其中，

对应第一电极所在的第一区域刻蚀至露出第一透明导电薄膜，对应TFT沟道所在的第二区域刻蚀至露出所述半导体薄膜，对应数据线、源极和漏极所在的第三区域不进行刻蚀，除上述图形之外的第四区域刻蚀掉全部膜层，露出所述基板；

b、形成绝缘层薄膜，采用构图工艺分别在所述第三区域的所述漏极上和所述第一区域的所述第一电极上形成过孔；

c、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，再分区域刻蚀形成栅线、栅极、公共电极线、第二电极和连接所述漏极及像素电极的连接线，其中，

对应所述栅线、栅极和公共电极线所在的E区域不进行刻蚀，其中所述栅极位于TFT沟道所在的第三区域之上，对应所述第二电极、连接线所在的F区域刻蚀掉所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，除所述E、F区域之外的G区域，刻蚀掉所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

步骤a具体包括：

a1、形成第一透明导电薄膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和漏源金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成四个区域，其中，第四区域光刻胶完全去除，第一区域光刻胶的厚度保留1/3，第二区域光刻胶的厚度保留2/3，第三区域光刻胶完全保留；

a2、刻蚀掉所述第四区域的全部膜层，露出所述基板；

a3、对光刻胶进行灰化处理，使所述第二区域和所述第三区域的光刻胶变薄，所述第一区域的光刻胶完全去除；

a4、刻蚀所述第一区域直至露出所述第一透明导电薄膜，所述第一区域形成所述第一电极；

a5、再次对光刻胶进行灰化处理，使所述第三区域光刻胶变薄，所述第二区域的光刻胶完全去除；

a6、刻蚀所述第二区域直至露出所述半导体薄膜，然后去除所述第三区域的光刻胶，所述第三区域形成所述数据线、源极和漏极。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤c具体包括：

c1、依次形成第二透明导电薄膜和栅极金属薄膜，涂敷光刻胶并曝光形成光刻胶厚度不一的E、F和G区域，其中，所述E区域光刻胶完全保留，所述F区域光刻胶部分保留，所述G区域光刻胶完全去除；

c2、刻蚀掉所述G区域的所述第二透明导电薄膜和所述栅极金属薄膜，露出所述绝缘层薄膜；

c3、对光刻胶进行灰化处理，使所述E区域的光刻胶变薄，所述F区域的光刻胶完全去除；

c4、刻蚀掉所述F区域的所述栅极金属薄膜，露出所述第二透明导电薄膜，所述F区域形成所述第二电极和所述连接线，去除所述E区域的光刻胶，所述E区域形成所述栅线、所述栅极和所述公共电极线。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤a中，所述第二区域的部分所述半导体薄膜被刻蚀掉，以保证所述掺杂半导体薄膜被完全刻蚀。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

制备所述第一透明导电薄膜和/或所述第二透明导电薄膜的材料，选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

制备所述漏源金属薄膜和/或所述栅极金属薄膜的材料，选自钼、铝、铬、铜中的一种或多种。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，

所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述连接线通过位于漏极之上所述绝缘层薄膜中的过孔，以及位于第一电极之上所述绝缘层薄膜中的过孔，将所述漏极和所述第一电极连接在一起；或者，

所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述连接线通过位于漏极之上所述绝缘层薄膜中的过孔将所述漏极和所述第二电极连接在一起，所述公共电极线通过位于所述第一电极之上的所述绝缘层薄膜中的过孔与所述公共电极相连接。