[发明专利]像素结构、阵列基板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是一种阵列基板的像素结构。

背景技术

在现有的薄膜晶体管液晶显示器的生产条件下，在栅线(Gate Line)和数据线(Data Line)的交叉部位经常会发生静电击穿，从而导致产生数据线和栅线短路不良(Data-Gate Short，简称：DGS不良)。同理，在公共电极线(Common Line)和数据线(Data Line)的交叉部位也经常会发生静电击穿，从而导致产生公共电极线和数据线短路不良(Data-Common Short，简称：DCS不良)

如图1所示，为一种像素的栅线与信号线交叉区结构的截面示意图(截面沿信号线方向)。从图中可以看出，该像素结构中，在基板11和第二保护层12之间的层结构中，布设有数据线13和栅线14。

在数据线13和栅线14交叉位置会形成寄生电容。当该寄生电容发生静电击穿时，会导致DGS不良。

当然，对于阵列基板上的其他会产生交叉的信号传输线之间也存在上述由静电释放(Electro-Static discharge，简称：ESD)而导致的短路问题，如公共电极线和数据线之间、维修线和数据线/栅线之间都存在上述现象。

对于DGS等由ESD造成的线不良，通用的方法都是在设备上寻找产生静电的原因，现有技术中会通过降低滚轮的传输速度、增加防静电液的使用以及增加除静电离子枪以及降低干法刻蚀(Dry Etch)中的输入功率等方法去解决，但这些都无法完全消除静电，导致DGS、DCS等由ESD引起的线不良的风险一直存在。因此，现有技术的像素结构至少存在针对上述容易发生静电击穿的寄生电容部分没有提供任何保护措施，一旦被击穿便难以完全修复，即使采取现有修复手段，也只能将该线不良修复成为点象素不良，从而会影响产品质量和良品率的问题。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种像素结构、阵列基板及液晶显示装置，保护交叉的信号传输线之间的寄生电容不被击穿。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种阵列基板的像素结构，包括多个功能层，且所述多个功能层中包括交叉设置于不同层的第一信号传输线和第二信号传输线，所述第一信号传输线和第二信号传输线的交叉处形成有寄生电容，所述像素结构还包括至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容设置于所述多个功能层中的一个能够导电的功能层上，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。

上述的像素结构，其中，所述第一信号传输线为栅线或公共电极线，所述第二信号传输线为数据线。

上述的像素结构，其中，所述像素结构中还包括像素电极，所述保护电容的两个电极与像素电极位于同一层，所述保护电容的一个电极通过第一过孔与所述数据线电连接，所述保护电容的另一个电极通过第二过孔与所述栅线电连接。

上述的像素结构，其中，所述保护电容的两个电极与所述栅线位于同一层，所述保护电容的一个电极与栅线电连接，所述保护电容的另一个电极通过第三过孔与所述数据线电连接。

上述的像素结构，其中，所述保护电容的两个电极与所述数据线位于同一层，所述保护电容的一个电极与数据线电连接，所述保护电容的另一个电极通过第四过孔与所述栅线电连接。

上述的像素结构，其中，所述像素结构包括透明公共电极，所述保护电容的两个电极与该像素结构中ITO公共电极层位于同一层，所述保护电容的一个电极通过第五过孔与所述数据线电连接，所述保护电容的另一个电极直接与所述栅线电连接。

上述的像素结构，其中，所述保护电容的数量可为多个，所述多个保护电容的击穿电压不同。

上述的像素结构，其中，所述保护电容通过切断维修部而断开与第一信号传输线和/或第二信号传输线连接，所述切断维修部用于在维修时断开，以切断所述保护电容与所述第一信号传输线和/或第二信号传输线的电连接。

为了实现上述目的，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板上设置有上述的像素结构。

为了实现上述目的，本发明实施例还提供了一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明实施例具有如下优点中的至少一个：