[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，包括形成于半导体衬底上的光电二极管区域，其特征在于，还包括：

浅槽隔离区域，形成于每一所述光电二极管区域中；

深槽隔离区域，形成于每一所述光电二极管区域中；其中，所述浅槽隔离区域与所述深槽隔离区域填充透光介质；

光电二极管及光电二极管耗尽区，形成于每一所述光电二极管区域中；以及

层间介质层，金属互连线及微透镜，形成于所述半导体衬底上方，其中一个所述微透镜对应于一个所述光电二极管区域；

其中，每一所述光电二极管区域中的所述浅槽隔离区域和深槽隔离区域使得所述光电二极管区域具有三个感光区。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述透光介质为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电二极管区域还包括掺杂区，所述掺杂区与所述半导体衬底之间构成PN结，以形成所述光电二极管及所述光电二极管耗尽区。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述浅槽隔离区域底部至其下方的所述光电二极管耗尽区的深度对应于绿色光在所述半导体衬底的吸收深度。

5.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述深槽隔离区域底部至其下方的所述光电二极管耗尽区的深度对应于蓝色光在所述半导体衬底的吸收深度。

6.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底表面至其下方的所述光电二极管的耗尽区的深度对应于红色光在所述半导体衬底的吸收深度。

7.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有光电二极管区域；

在每一所述光电二极管区域光刻和刻蚀浅槽隔离区域；

在每一所述光电二极管区域光刻和刻蚀深槽隔离区域；

在所述浅槽隔离区域及所述深槽隔离区域填充透光介质并平坦化；

在每一所述光电二极管区域形成光电二极管及光电二极管耗尽区；以及

在所述衬底上方形成层间介质层，金属互连线及微透镜，其中一个所述微透镜对应于一个所述光电二极管区域；

其中，每一所述光电二极管区形成的所述浅槽隔离区域和深槽隔离区域使得所述光电二极管具有三个感光区。

8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述透光介质为二氧化硅。

9.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述光电二极管区域形成光电二极管及光电二极管耗尽区的步骤包括:在所述光电二极管区域进行杂质离子注入形成掺杂区，所述掺杂区与所述半导体衬底之间构成PN结，以形成所述光电二极管及所述光电二极管耗尽区。

10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述浅槽隔离区域底部至其下方的所述光电二极管耗尽区的深度对应于绿色光在所述半导体衬底的吸收深度；所述深槽隔离区域底部至其下方的所述光电二极管耗尽区的深度对应于蓝色光在所述半导体衬底的吸收深度；所述半导体衬底表面至其下方的所述光电二极管耗尽区的深度对应于红色光在所述半导体衬底的吸收深度。