[发明专利]形成自我对准的套准标记的方法

权利要求书

1.一种形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，包含：

提供位在一基材上的一第一区域和一第二区域，和位于所述第一区域和所述第二区域之间且位于所述基材上的一主要特征，其中所述第一区域界定出一第一边界，而所述第二区域界定出一第二边界；

形成一截切掩膜层以分别覆盖所述第一区域与所述第二区域，其中所述截切掩膜层裸露出所述主要特征；

判定所述截切掩膜层是否与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一者自我对准，而建立出一自我对准的套准标记；以及

当所述截切掩膜层与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一个自我对准时，进行一主要特征的刻蚀步骤将所述主要特征转移至所述基材。

2.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述主要特征是由一间距倍减技术所形成的。

3.根据权利要求2所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层只与所述第二边界自我对准。

4.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述主要特征具有较所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一者更为密集的一主要特征图案。

5.根据权利要求4所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层描绘出和框出所述主要特征图案的轮廓。

6.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述主要特征具有一线条/间隔阵列图案。

7.根据权利要求6所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，在所述线条/间隔阵列图案中具有多个非连续线段。

8.根据权利要求6所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述线条/间隔阵列图案中的所述间隔没有所述截切掩膜层的所述边界。

9.根据权利要求7所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层的边界落在所述多个非连续线段中最接近的一个之上。

10.根据权利要求7所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层的所述边界落在所述多个非连续线段的其中一个上。

11.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层的边缘是渐缩的。

12.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层包括一光刻胶。

13.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层叠盖在所述主要特征的上面。

14.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述主要特征包括一第一部分和一第二部分。

15.根据权利要求14所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，在所述截切掩膜层的存在下，所述第一部分和所述第二部分在所述主要特征的刻蚀步骤会保持不变。

16.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，当所述截切掩膜与所述套准测量框的所述第一边界以及所述第二边界自我对准时，所述截切掩膜层有助于形成一套准测量框。

17.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述截切掩膜层有助于形成可被测量工具所检测的一测量环，以判定出所述主要特征的位置。

18.根据权利要求17所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，所述测量环的一个边界位于与一第一主要特征平行的方向上。

19.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，另包含：

在所述主要特征的刻蚀步骤后，从所述第一区域和所述第二区域移除所述截切掩膜层。

20.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，不管所述截切掩膜层对于所述主要特征是否有一X方向的偏移，所述截切掩膜层仍然都与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一者自我对准。

21.根据权利要求1所述的形成自我对准的套准标记的方法，其特征在于，不管所述截切掩膜层对于所述主要特征是否有一Y方向的偏移，所述截切掩膜层仍然都与所述第一边界以及所述第二边界的至少其中一者自我对准。