[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，特别涉及给予能够防止因扫描线的截面形状引起的图像信号线的断线的结构的显示装置。

背景技术

在显示装置例如液晶显示装置中，设置有以矩阵状形成有像素电极以及薄膜晶体管(TFT)等的TFT基板和与TFT基板相对在与TFT基板的像素电极对应的部位形成有滤色器的对置基板，在TFT基板和对置基板之间夹持有液晶。于是，通过对于每个像素控制液晶分子的光的透过率，从而形成图像。

液晶显示装置由于平坦且轻量，因此，广泛应用于自TV等的大型显示装置到便携电话机或者DSC(Digital Still Camera数码照相机)等各种领域。另外，液晶显示装置，具有根据观看画面的角度不同而图像不同这样的视野角的问题，但是关于该视野角，IPS(In Plane Switching平面转换)方式的液晶显示装置具有优良的特性。

在液晶显示装置中，扫描线在第一方向延伸在第二方向排列，图像信号线在第二方向延伸在第一方向排列。在由扫描线和图像信号线包围的区域内形成有像素。另外，图像信号线经由绝缘层跨过扫描线之上延伸。

当扫描线的截面形状中的侧部陡峭、或者形成倒锥形时，覆盖扫描线的绝缘层变得不规则，其结果，在绝缘层上形成的图像信号线会产生断线的现象。在专利文献1中记载有：通过将覆盖TFT的沟道部的沟道保护层作为绝缘物的两层结构，加快上侧的蚀刻速度，使沟道保护层成为正锥形，防止覆盖沟道保护层的绝缘层破坏。

专利文献1：日本特开平6-85257号公报

显示装置中的扫描线为了减小电阻而使用Al合金。作为所使用的Al合金，使用AiNd或者AlCu等。AlCu电阻小。另一方面，Al容易产生细微的突起，为防止该细微的突起突破绝缘膜而产生绝缘破坏，作为覆盖层使用MoCr等高熔点金属。以后将Al合金层称为下层，将覆盖层称为上层。

扫描线在通过溅射等形成上层和下层后，使用光刻法进行构图。在光刻工序中，显影抗蚀剂后，使用相同的蚀刻液对扫描线的上层和下层同时蚀刻。以下层为AlCu、上层为MoCr的情况为例，在蚀刻之后，剥离抗蚀剂后的扫描线的截面结构成为图10所示那样的结构。

在图10中，在作为下层11的AlCu上形成锥形，作为上层12的MoCr由于与AlCu的上部相比，侧面蚀刻的量少，因此，在AlCu上生成MoCr的檐。在扫描线10之上，例如形成栅极绝缘膜，但是通过作为上层的MoCr的檐，栅极绝缘膜102的形状如图11所示变得不规则。如图11所示，将扫描线10的上层12的檐部150的下侧产生的栅极绝缘膜102的凹部称为嵌入。图11表示在与扫描线10成直角的方向上图像信号线20跨过扫描线10的剖面图。

在图11中，在檐150的下侧未充分形成栅极绝缘膜102，产生所谓的嵌入。在栅极绝缘膜102上通过溅射等形成图像信号线20，但是在栅极绝缘膜102形成有嵌入的部分不形成图像信号线20的膜，产生断线，另外，在栅极绝缘膜102的嵌入部分中，即使连接图像信号线20，也由于该部分的图像信号线20变薄，在电流流过时，因热量而断线。

作为这样的断线的对应方法，如图12所示，考虑在图像信号线20跨过扫描线10的部分内，在图像信号线20的下层形成a-Si层1035来减轻级差，由此，防止图像信号线20的断线。在图12中，半导体层103为形成TFT的a-Si层，1035为在图像信号线跨过扫描线的部分为减轻级差而通过a-Si形成的半导体台座。但是当在图像信号线20和扫描线10之间形成a-Si层时，产生因a-Si层而使透过率降低这样的问题。

发明内容

本发明的课题为，在由以Al为主要成分的下层11和以Mo为主要成分的上层12构成的扫描线10或者栅电极中，防止蚀刻后产生上层的檐150，防止因产生檐150而引起的图像信号线20的断线。

本发明用于克服上述问题，具体的方法如下。

(1)一种显示装置，其扫描线在第一方向延伸在第二方向排列，图像信号线在第二方向延伸在第一方向排列，在由所述扫描线和所述图像信号线包围的区域内形成TFT和像素电极，其特征在于，所述TFT是底部栅极型的TFT，所述扫描线是将以Al作为主要成分的合金作为下层、将以Mo作为主要成分的合金作为上层的两层结构，所述上层/所述下层的膜厚比为0.4以上且1.0以下。

(2)根据(1)中所述的显示装置，其特征在于，所述上层/所述下层的膜厚比为0.6以上且1.0以下。

(3)根据(1)或(2)中所述的显示装置，其特征在于，所述上层为MoCr合金，所述下层为AlCu。