[发明专利]电子器件封装树脂的制造方法

权利要求书

1.一种电子器件封装树脂的制造方法，包括如下步骤：

（1）制备改性SiO2溶胶，以含不饱和双键的有机硅单体作为表面改性剂，对SiO2溶胶进行表面改性来制备改性SiO2溶胶；

（2）制备紫外光固化树脂；

（3）以质量百分比计，将25～65％的所述改性SiO2溶胶、15～55％的所述紫外光固化树脂与10～30％的溶剂混合，并依次加入3％光引发剂、0.2％的助剂以及6～13％的防静电剂，充分搅拌混合后即可得到所述电子器件封装树脂。

2.如权利要求1所述的电子器件封装树脂的制造方法，其特征在于：

其中所述紫外光固化树脂按质量百分比计具有如下化学成分：5～30％的丙三醇、15～40％的环氧化十六碳共轭三烯酸甘油酯、10～40％的三甲醇基丙烷、0.5～1％的对苯二酚、8～15％的乙基甲基丙烯酸酯、10～25％的甲苯二异氰酸酯、20～40％的四氢呋喃、3～8％的二甲氧基苯基甲酮、10～35％的甲基丙烯酸甲酯、以及小于等于1％的氧化铅。

3.如权利要求1或2所述的电子器件封装树脂的制造方法，其特征在于：

含不饱和双键的有机硅单体例如是：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种；优选γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷。

4.如权利要求1-3之一所述的电子器件封装树脂的制造方法，其特征在于：

所述溶剂包括水和任何水溶性或水混溶性的醇，例如甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇等，或醇醚如丙二醇甲醚、乙二醇丁醚等。

5.如权利要求1-4之一所述的电子器件封装树脂的制造方法，其特征在于：

所述光引发剂为二苯甲酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-羟基-环己基苯酮，优选为二苯甲酮。

所述助剂为消泡剂，所述消泡剂的材料可选择例如有机硅消泡剂、乙烯基聚合物和丙烯酸共聚消泡剂、聚醚消泡剂任意之一。

6.如权利要求1-5之一所述的电子器件封装树脂，其特征在于：

所述防静电剂为可聚合季铵盐表面活性剂，该可聚合季铵盐表面活性剂选自甲基丙烯酰氧乙基-苄基-二甲基氯化铵(MBDAC)，甲基丙烯酰氧乙基-丁基-二甲基溴化铵(MBDAB)和甲基丙烯酰氧乙基-乙基-二甲基溴化铵(MEDAB)任意之一。