[发明专利]一种晶圆浸泡装置有效
申请号: | 201210439179.1 | 申请日: | 2012-11-06 |
公开(公告)号: | CN103811374A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 谷德君;张浩渊;卢继奎 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浸泡 装置 | ||
技术领域
本发明属于半导体行业晶片湿法处理领域,具体地说是一种满足晶圆浸泡需求的晶圆浸泡装置。
背景技术
目前,对于半导体行业中晶片湿法处理工艺经常需要使用化学液对晶圆进行浸泡处理。而目前的晶圆浸泡方式,一般是采用整盒晶圆同时放入化学液槽中浸泡,到达预定时间后再整盒取出进行下一步的工艺处理;但在下一步的工艺处理时会出现每一片晶圆依次处理的情况,这样就造成了整盒晶圆每一片等待的时间都不同,可能会影响最终芯片的质量。所以,如何实现每一片晶圆浸泡时间的均一性是一个不可避免的问题。
发明内容
为了解决晶圆浸泡处理时单片晶圆浸泡时间和取出后等待时间的均一性问题,本发明的主要目的在于提供一种分时传片的晶圆浸泡装置。
本发明的另一目的在于提供一种提高处理效率和均匀性的晶圆浸泡装置。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明包括片盒、储液槽、底板、电动执行器、升降连杆及传片窗口,其中储液槽及电动执行器分别安装在底板上,片盒位于储液槽内,所述升降连杆的一端与电动执行器的输出端相连,另一端插入储液槽内、与所述片盒铰接;所述储液槽内的下部盛有浸泡晶片的化学液,上部的槽壁上开有供机械手将晶片送入片盒中的传片窗口;所述电动执行器驱动升降连杆带动片盒升降,使片盒上升到与所述传片窗口相对应的高度取/放晶片,或使片盒下降浸入到化学液以下浸泡晶片。
其中:所述电动执行器的输出端还连接有倾斜气缸,该倾斜气缸的输出端与倾斜连杆的一端连接,所述倾斜连杆的另一端插入储液槽内、与所述片盒铰接,所述倾斜气缸驱动倾斜连杆带动片盒向后倾斜;所述储液槽内盛有化学液的下部安装有超声波发生器;所述电动执行器通过支架固定在底板上,电动执行器的输出端连接有安装板,所述倾斜气缸固定在该安装板上;所述升降连杆的一端通过第一连接板与安装板固接,倾斜连杆的一端通过第二连接板与倾斜气缸的输出端相连;所述升降连杆及倾斜连杆之间平行,第一连接板与第二连接板上下平行设置;所述储液槽的远离电动执行器一侧的顶部边缘安装有升降气缸,该升降气缸的输出端连接有开关所述传片窗口的挡板;所述储液槽盛有化学液的下部的外表面贴有加热片;所述储液槽上部的槽臂分别开有维修窗口及观察窗口;所述储液槽的顶面开有加液口,储液槽的底面及底板上开有排液口。
本发明的优点与积极效果为:
1.本发明通过分时传片的方式,通过电动执行器驱动升降连杆带动片盒升降,实现了单片浸泡时间和取出后等待时间的均一性。
2.本发明在片盒浸入化学液中时可以将片盒向后倾斜设定角度,以保证晶圆不会滑出片盒;而且片盒在后倾的状态下可在化学液面以下小幅度的振荡,以加快处理效率和均匀性。
3.本发明在传片窗口处设置了由升降气缸控制的挡板,在晶片浸泡的时候,保证储液槽是一个封闭的腔体;晶片浸泡在封闭腔体中,可很大限度地减少化学液挥发和对环境的影响。
4.本发明储液槽下部的外表面贴了加热片,可以将存液槽中化学液进行加热,以减少工艺处理时间。
5.本发明在储液槽的槽壁上开设了维修窗口及观察窗口,便于观察晶片浸泡情况,方便维修。
6.本发明的储液槽上分别设了加液口及排液口,实现了化学液的注入与排放的自动控制。
7.本发明结构简单,反应迅速,安装方便,成本低。
附图说明
图1为本发明外部整体结构的立体示意图;
图2为本发明的内部结构示意图;
其中:1为晶片,2为片盒,3为储液槽,4为底板,5为支架,6为电动执行器,7为超声波发生器,8为维修窗口,9为倾斜连杆,10为倾斜气缸,11为升降连杆,12为传片窗口,13为加热片,14为挡板,15为升降气缸,16为安装板,17为第一连接板,18为第二连接板,19为加液口,20为排液口,21为观察窗口。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造