[发明专利]用作CMOS图像传感器ARC层的多孔硅有效
| 申请号： | 201210439407.5 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103515400A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 丁世汎;江彦廷;王俊智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用作 cmos 图像传感器 arc 多孔 | ||
1.一种半导体器件，包括：
金属化层，通过衬底支撑；
二极管和部分掺杂的硅层，设置在所述金属化层的上方；
缓冲层，设置在所述二极管和所述部分掺杂的硅层的上方；以及
抗反射涂层，设置在所述缓冲层的上方，所述抗反射涂层由多孔硅形成。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缓冲层由氧化物、若干分立的氧化物层、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)以及高k介电膜中的一种形成。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多孔硅的孔隙率介于约0％到约80％的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多孔硅电连接到金属焊盘。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多孔硅在负偏压或者正偏压下电连接到金属焊盘。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多孔硅通过原位掺杂工艺、n型原位掺杂工艺、或者p型原位掺杂工艺形成。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多孔硅通过原位掺杂工艺采用介于约0个离子/cm2到约5×1021个离子/cm2之间的掺杂剂量形成。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属化层是在背照式配置或者前照式配置中定向的。
9.一种半导体器件，包括：
金属化层，通过衬底支撑；
二极管和部分掺杂的硅层，设置在所述金属化层的上方；
缓冲层，设置在所述二极管和所述部分掺杂的硅层的上方，所述缓冲层由在第二氧化物层上方形成的第一氧化物层形成；
抗反射涂层，设置在所述缓冲层的上方，所述抗反射涂层由多孔硅形成；以及
金属焊盘，电连接到所述多孔硅。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
在衬底上方形成金属化层；
在所述金属化层上方形成二极管和部分掺杂的硅层；
在所述二极管和所述部分掺杂的硅层的上方形成缓冲层；以及
在所述缓冲层上方形成由多孔硅组成的抗反射涂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210439407.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
