[发明专利]用于承载晶片的静电卡盘以及等离子体加工设备

权利要求书

1.一种用于承载晶片的静电卡盘，包括用于承载晶片的卡盘本体，在所述卡盘本体内设有沿所述卡盘本体厚度方向贯穿的热传导气体通孔，热传导气体通过所述热传导气体通孔到达所述晶片与所述卡盘本体之间的间隙内；

其特征在于，在所述热传导气体通孔内设有用于测量所述晶片温度的热电偶，且所述热电偶的测量端与所述晶片的接触是借助所述热传导气体在所述热传导气体通孔内的压力向所述热电偶的测量端施加向上的作用力实现的。

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，在所述热电偶的测量端设有肩部，所述肩部的外径小于所述热传导气体通孔的内径，并且，在所述热传导气体通孔内设有支撑部件，所述支撑部件通过所述肩部将所述热电偶设置在所述热传导气体通孔内。

3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述肩部与所述热传导气体通孔的内壁之间的间隙为0.05～0.1mm。

4.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述支撑部件为弹簧，所述弹簧套设于所述热电偶的外侧，所述弹簧的内径小于所述肩部的外径。

5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述热传导气体包括氦气。

6.一种等离子体加工设备，其包括反应腔室和热传导气体管路，在所述反应腔室内设置有静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘采用权利要求1-5任意一项权利要求所述的静电卡盘，所述热传导气体管路用于向所述静电卡盘输送热传导气体。

7.根据权利要求6所述的等离子体加工设备，其特征在于，还包括温度调节单元和温度控制单元，

所述温度控制单元用于根据所述热电偶获得的晶片的实时温度值控制所述温度调节单元对晶片的温度进行调节，以使晶片的温度达到工艺设定温度。

8.根据权利要求7所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述温度调节单元包括设置在所述卡盘本体中的电阻丝和/或冷却剂通道。

9.根据权利要求8所述的等离子体加工设备，其特征在于，通入所述冷却剂通道中的冷却剂包括水或冷却液体。

10.根据权利要求9所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述温度控制单元接收由所述热电偶获得的实时温度值，并判断所述实时温度值是否超出预设的晶片温度阈值，若所述实时温度值超出预设的所述晶片温度阈值，则增加所述冷却剂的流量和/或降低所述冷却剂的温度。

11.根据权利要求6所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述热传导气体管路包括第一连接端口、第二连接端口和第三连接端口，其中，所述第一连接端口与所述热传导气体通孔连通；所述第二连接端口作为热传导气体的输入口与所述热传导气体源连通；所述第三连接端口作为所述热电偶的出线口以使所述热电偶的接线通过所述第三连接端口与终端连接。