[发明专利]Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210440036.2 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102903534A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 胡俊青;李文尧;邹儒佳;李高;徐开兵;孙彦刚;王滕 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | co sub au mno 三维 分级 纳米 阵列 超级 电容器 材料 制备 方法 | ||
1.一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，包括：
（1）将泡沫镍在含有DMSO的Co(NO3)2水溶液中于-1V电位下电化学沉积制备Co(OH)2纳米片阵列，然后煅烧，得到前驱体Co3O4纳米片阵列；
（2）利用等离子体溅射法在上述Co3O4纳米片阵列的表面蒸镀，形成一层Au颗粒组成的薄膜，得到Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列；
（3）将上述Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列置于含有DMSO的Mn(CH3COO)2和CH3COONH4的混合水溶液中，然后于0.9V电位下电化学沉积，将MnO2包覆在Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列的表面；反应完成后，将得到的产物清洗后干燥，最后煅烧，即得。
2.根据权利要求1所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的煅烧为在马弗炉中煅烧。
3.根据权利要求1所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的含有DMSO的Co(NO3)2水溶液中Co(NO3)2的浓度为0.01~0.05mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的蒸镀的时间为0.5~3min。
5.根据权利要求1所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的含有DMSO的Mn(CH3COO)2和CH3COONH4的混合水溶液中Mn(CH3COO)2的浓度为0.005~0.02mol/L，CH3COONH4的浓度为0.01~0.05mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的清洗为分别用乙醇、去离子水清洗1-3次。
7.根据权利要求1所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的干燥为于60-80℃干燥3-5h。
8.根据权利要求1所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的煅烧为在马弗炉中煅烧2h。
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