[发明专利]一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法有效
| 申请号： | 201210440955.X | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102931229A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 董逊;许晓军;章咏梅;彭大青;张东国;李亮;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algan gan ingan 双异质结 材料 及其 生产 方法 | ||
1.一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料，其特征在于：所述AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟道层、AIN插入层和AlxGa1-xN势垒层，其中0.1≤x≤0.9。
2.根据权利要求1所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料，其特征在于：所述GaN保护层的厚度为2~3nm。
3.一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：所述生产方法包括以下步骤：选取衬底并在氢气气氛下对所述衬底进行表面预处理；在所述衬底上依次生长GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟道层、AlN插入层和AlxGa1-xN势垒层，其中0.1≤x≤0.9。
4.根据权利要求3所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：生长所述GaN保护层的生长温度为750～780℃，生长气压为150至250毫米汞柱，生长源为氨气、三甲基镓，生长厚度为2～3nm。
5.根据权利要求3或4所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：生长所述GaN成核层生长温度为520～560℃，生长气压为450~550毫米汞柱，生长源为氨气、三甲基镓，生长厚度为20～30nm。
6.根据权利要求3或4所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：生长所述GaN缓冲层的生长温度为1000～1100℃，生长气压为200～300毫米汞柱，生长源为氨气、三甲基镓，生长厚度为2～3μm。
7.根据权利要求3或4所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：生长所述InGaN背势垒层的生长温度为750～780℃，生长气压为150~250毫米汞柱，生长源为氨气、三甲基镓及三甲基铟，生长厚度为2～3nm。
8.根据权利要求3或4所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：生长所述GaN沟道层的生长温度为1000～1100℃，生长气压为200～300毫米汞柱，生长源为氨气、三甲基镓，生长厚度为10～15nm。
9.根据权利要求3或4所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：生长所述AlN插入层的生长温度为1000～1100℃，生长气压为50~100毫米汞柱，生长源为氨气、三甲基铝，生长厚度为1～2nm。
10.根据权利要求3或4所述的AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料的生产方法，其特征在于：生长所述AlxGa1-xN势垒层的生长温度为1000～1100℃，生长气压为50~100毫米汞柱，生长源为氨气、三甲基镓及三甲基铝，生长厚度为20～30nm。
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