[发明专利]功率半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210441513.7 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103107100A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 百瀬文彦;西村芳孝 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：接合在散热底座上的带导电图案的绝缘基板；接合在所述带导电图案的绝缘基板上的半导体芯片；收纳所述带导电图案的绝缘基板和所述半导体芯片并粘接在所述散热底座的树脂壳体；和填充于所述树脂壳体内的保护材料，所述功率半导体器件的制造方法的特征在于，包括：
将半导体芯片接合在带导电图案的绝缘基板上的工序；
将所述带导电图案的绝缘基板接合在散热底座的工序；
将树脂壳体粘接在所述散热底座的工序；
对所述带散热图案绝缘基板的表面和所述半导体芯片的表面实施氧等离子体表面处理的工序；
对所述带散热图案绝缘基板和所述半导体芯片进行高温加热并除去湿气的工序；和
将保护材料填充到树脂壳体内的工序。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于：
作为所述氧等离子体表面处理的条件，等离子体的功率是200W～600W，等离子体处理时间是30秒～700秒，氧（O2）的流量是30ml/分～100ml/分。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于：
作为所述高温加热的条件，温度是100℃以上200℃以下，加热时间是30分以上2小时以下。
4.如权利要求1所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于：
所述保护材料是硅胶或环氧树脂。
5.如权利要求1所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于：
构成所述带导电图案的绝缘基板的绝缘基板的材质是Al2O3、Si3N4或AlN，导电图案的材质是铜。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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