[发明专利]一种氧化铬薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210441646.4 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN103805960A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 李帅;何迪;刘晓鹏;于庆河;邱昊辰;王树茂;蒋利军 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/455
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘徐红
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化铬 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化铬薄膜的制备方法,采用金属有机化学气相沉积方法,包括如下步骤:采用氩气、氢气和氮气中一种或两种以上与水气的混合气体作为反应气体,将铬先驱体蒸气输运至沉积室,铬先驱体在所述反应气体作用下发生分解反应在衬底表面形成氧化铬薄膜,衬底表面形成的副产物由反应气体载带出反应室。

2.如权利要求1所述氧化铬薄膜的制备方法,其特征在于:所述铬先驱体为铬金属有机化合物。

3.如权利要求2所述氧化铬薄膜的制备方法,其特征在于:所述铬金属有机化合物为乙酰丙酮铬、六羰基铬或六氟乙酰丙酮铬。

4.如权利要求1所述氧化铬薄膜的制备方法,其特征在于:所述水气在混合气体中的体积百分比为1~10%。

5.如权利要求4所述氧化铬薄膜的制备方法,其特征在于:所述混合气体的流量为10~100sccm。

6.如权利要求1所述氧化铬薄膜的制备方法,其特征在于:所述沉积室的压强为100~3000Pa,衬底温度为300~800℃。

7.如权利要求6所述氧化铬薄膜的制备方法,其特征在于:所述的衬底为单晶硅衬底或钢衬底。

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