[发明专利]一种发光图案可调可控的双电极结构场发射发光管有效

专利信息
申请号: 201210442059.7 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN102945782A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 佟钰;刘俊秀;夏枫;张婷;曾尤 申请(专利权)人: 沈阳建筑大学
主分类号: H01J29/48 分类号: H01J29/48;H01J29/02;H01J29/70
代理公司: 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人: 李宇彤
地址: 110168 辽宁省沈*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 图案 可调 可控 电极 结构 发射
【权利要求书】:

1. 一种发光图案可变换的双电极结构场发射发光管,包括一真空封装的玻璃腔体,其特征在于:与接线柱导通的导电基板上固定有具有宏观长度、大长径比特征的场发射体作为电子源;阳极由透明导电玻璃构成,上面涂敷有荧光粉膜;图案变换控制组件布置于导电基板上,相对针尖状场发射体位置对称分布,以外加电压或控制组件通/断电状态作为控制信号。

2. 根据权利要求1所述的一种发光图案可变换的双电极结构场发射发光管,其特征在于:尖状场发射体,为具有大高径比的宏观场发射体,场发射体高度0.2-10 mm,直径不大于0.2 mm,在发射体端面、局部或全部分布有碳质纳米线、纳米带、纳米管、纳米棒、纳米锥、石墨烯片或纳米薄膜中的一种或多种纳米材料的复合结构。

3. 根据权利要求1所述的一种发光图案可变换的双电极结构场发射发光管,其特征在于:图案变化控制组件的组成材料可选用非导电的无机非金属材料玻璃、陶瓷、刚玉,也可采用导体或半导体材料金属、ITO薄膜、碳质材料。

4. 按根据权利要求1所述的一种发光图案可变换的双电极结构场发射发光管,其特征在于:图案变化控制组件其厚度不高于场发射尖端的有效高度,其外形及布置方式决定发光管显示图案。

5. 按根据权利要求1所述的一种发光图案可变换的双电极结构场发射发光管,其特征在于:图案变化控制组件直接布置于导电基板上,相对场发射体对称排列,工作状态下发光二极管显示图案相似于图案变化控制组件的外轮廓。

6. 按根据权利要求1所述的一种发光图案可变换的双电极结构场发射发光管,其特征在于:图案变化控制组件通过绝缘垫片固定于导电基板上,相对场发射体对称排列,工作状态下发光二极管显示图案相似于图案变化控制组件的外轮廓;图案变化控制组件全体或部分接地情况下,可实现发光二极管显示图案。

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