[发明专利]一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法

权利要求书

1.一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于，至少包括步骤：采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行处理，然后键合所述硅基芯片及PDMS芯片，所述第二气体包括氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气的一种或其任意比例混合的气体。

2.根据权利要求1所述的采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）提供一硅基芯片与一PDMS芯片，对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行清洗；

2）采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行等离子体处理；

3）将所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面相互贴合并进行按压，以键合所述硅基芯片及PDMS芯片。

3.根据权利要求2所述的采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于：步骤1）包括以下步骤：

1-1）提供一硅基芯片与一PDMS芯片，将所述硅基芯片与PDMS芯片置于丙酮中进行超声清洗；

1-2）将所述硅基芯片与PDMS芯片置于酒精中进行超声清洗；

1-3）采用去离子水对所述硅基芯片与PDMS芯片进行清洗，并用氮气进行吹干。

4.根据权利要求3所述的采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于：所述超声清洗的功率为50~200W，清洗时间为5~10min。

5.根据权利要求1~4任意一项所述的采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于：所述第二气体形成的等离子体占所述混合等离子体的比例为0%~3%。

6.根据权利要求1~4任意一项所述的采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于：产生所述混合等离子体的功率为50~100W，气体流速为400~600sccm。

7.根据权利要求6所述的采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于：对所述基芯片与PDMS芯片键合面进行等离子体处理的时间为30~60s。

8.根据权利要求1~4任意一项所述的采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，其特征在于：于10~50℃下对所述硅基芯片与PDMS芯片进行等离子体处理及进行键合。