[发明专利]一种具有上下电极LED芯片陶瓷基板的LED集成模块及其集成封装工艺

权利要求书

1.一种具有上下电极LED芯片陶瓷基板的LED集成模块，其特征在于：包括有机硅树脂层、荧光粉层、LED芯片层、第一铜箔层、陶瓷基板层、第二铜箔层、集成模块支架和金属导线，各层之间从上到下顺次组合；

所述具有上下电极LED芯片的陶瓷基板的LED集成模块的封装工艺包括以下步骤：

1)、制备LED集成模块支架，其特征在于：所述的支架包括金属基底、绝缘封装模块、第一电极和第二电极；

2)、将第一铜箔层、陶瓷基板层和第二铜箔层顺次集成固定于支架的凹槽内表面上；

3)、将LED芯片层集成设置，并固定于第一铜箔层的上表面；

4)、焊接金属导线，使LED芯片层上表面电极连通于支架的第一电极，使LED芯片下表面电极连通于支架的第二电极；

5)、在LED芯片层上方涂覆、填充荧光粉，使荧光粉完全覆盖LED芯片和金属导线，形成荧光粉层，使其表面呈平面；

6)、在荧光粉层表面涂覆有机硅树脂，形成有机硅树脂层，使其表面呈平面。

2.如权利要求1所述的LED集成模块，其特征在于：所述LED芯片层具有上表面电极和下表面电极。

3.如权利要求1所述的LED集成模块，其特征在于：所述第一铜箔层具有制成的电路。

4.如权利要求1所述的LED集成模块，其特征在于：所述陶瓷基板层连接于第一铜箔层和第二铜箔层之间，其水平截面均大于第一铜箔层和第二铜箔层，其厚度为200um～2000um，优选500um～1000um。

5.如权利要求1所述的LED集成模块，其特征在于：所述LED集成模块支架由金属基底、绝缘封装模块组成一凹槽，用以集成固定LED芯片层、第一铜箔层、陶瓷基板层和第二铜箔层，凹槽两侧分别设有第一电极和第二电极，凹槽的尺寸根据实际集成芯片的数目决定，较佳地为1mm～50mm。

6.如权利要求1～5所述的LED集成模块的封装工艺，其特征在于：所述第一铜箔层、陶瓷基板层、第二铜箔层和LED集成模块支架通过使用锡膏烘烤，顺次粘结，烘烤温度为220℃～300℃，优选230℃～280℃。

7.如权利要求1～5所述的LED集成模块的封装工艺，其特征在于：所述LED芯片层的下表面电极通过银胶固定在第一铜箔层之上，组成单个单元，银胶的烘烤温度为100℃～200℃，优选130℃～180℃。

8.如权利要求1～5所述的LED集成模块的封装工艺，其特征在于：所述LED芯片的集成设置，可采用并联模式和/或串联模式，所述并联模式中各单元以并联方式连接于第一电极和第二电极之间，所述串联模式中各单元以串联方式连接，其特征在于：所述的上表面电极与下一单元的第一铜箔层通过金属导线连接。

9.如权利要求1～5所述的LED集成模块的封装工艺，其特征在于：所述荧光粉层是将荧光粉均匀分散在有机硅树脂中，依据实际需要进行涂覆、填充，形成的荧光粉层。

10.如权利要求1～5所述的LED集成模块的封装工艺，其特征在于：所述有机硅树脂层的厚度为20um～200um，优选50um～100um。