[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片具有第一表面和第二表面，位于所述芯片第一表面的第一底部金属层；位于所述第一底部金属层上的第一柱状电极，所述第一柱状电极周围暴露出部分第一底部金属层；位于所述第一柱状电极侧壁表面、顶部表面、第一柱状电极周围暴露出的第一底部金属层表面的第一扩散阻挡层；位于所述第一扩散阻挡层上的第一焊球，所述第一焊球至少包裹在所述第一柱状电极顶部和侧壁的表面；与芯片的第一表面相对设置的封装基板，所述封装基板具有焊接端子，所述焊接端子的位置与第一焊球的位置相对应，所述芯片倒装于所述封装基板上且位于所述芯片上的第一焊球与所述焊接端子互连。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：位于所述芯片第一表面的第二底部金属层，所述第二底部金属层与第一底部金属层电学隔离，位于所述第二底部金属层表面的第二柱状电极，所述第二柱状电极周围暴露出部分第二底部金属层；位于所述第二柱状电极侧壁表面、顶部表面、第二柱状电极周围暴露出的第二底部金属层表面的第二扩散阻挡层；位于所述第二扩散阻挡层上的第二焊球，所述第二焊球至少包裹在所述第二柱状电极顶部和侧壁的表面；位于所述封装基板内的第一散热板，所述第一散热板的位置与第二焊球的位置相对应，且所述第二焊球与所述第一散热板互连。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述焊接端子位于封装基板靠近边缘的位置，所述第一散热板位于封装基板的中间位置，对应的，所述第一焊球位于所述芯片的第一表面靠近边缘的位置，所述第二焊球位于芯片的第一表面靠近中间的位置。

4.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一散热板的数量为一块或多块，所述第一散热板的形状为规则图形或不规则图形。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，当所述第一散热板为多块时，所述第一散热板为集中分布或分散分布。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装基板为树脂基板、陶瓷基板、玻璃基板、硅基板、金属基板、金属框架和合金框架中的一种。

7.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一焊球还覆盖所述第一底部金属层表面的第一扩散阻挡层，所述第二焊球还覆盖所述第二底部金属层表面的第二扩散阻挡层。

8.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层为镍层。

9.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括，位于所述第一扩散阻挡层表面的第一浸润层，所述第一焊球形成于所述第一浸润层表面；位于所述第二扩散阻挡层表面的第二浸润层，所述第二焊球形成于所述第二浸润层表面。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一浸润层、第二浸润层的材料至少包括金元素、银元素、铟元素和锡元素中的一种。

11.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一底部金属层包括焊盘和位于所述焊盘表面的电镀种子层，所述第一底部金属层上形成有第一柱状电极；所述第二底部金属层包括位于所述芯片第一表面的电镀种子层，所述第二底部金属层上形成有第二柱状电极。

12.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一底部金属层包括焊盘、位于所述焊盘表面且电连接的电镀种子层和位于所述电镀种子层表面的再布线金属层，所述第一底部金属层上形成有第一柱状电极；所述第二底部金属层为位于所述芯片第一表面的电镀种子层，或者包括位于所述芯片第一表面的电镀种子层和位于所述电镀种子层表面的再布线金属层，所述第二底部金属层上形成有第二柱状电极。

13.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：位于所述芯片和封装基底之间的底填料和覆盖所述芯片、封装基底表面的封装树脂材料。

14.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：位于所述芯片和封装基底之间和覆盖所述芯片、封装基底表面的封装树脂材料。

15.如权利要求13或14所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装树脂材料暴露出所述芯片的第二表面。