[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)制备包括芯片安装部和多个外部端子的基材；

(b)将包括多个电极焊盘的半导体芯片安装到所述基材的所述芯片安装部上；

(c)经由多个导电部件分别将所述半导体芯片的所述电极焊盘与所述基材的所述外部端子电耦合；以及

(d)使所述基材的所述外部端子与多个测试端子的接触区接触，由此将所述半导体芯片与测试电路电耦合，并且执行电测试，

所述测试端子的所述接触区中的每一个包括由第一合金形成的芯材以及覆盖所述芯材的金属膜，并且

所述金属膜由硬度高于所述第一合金的第二合金形成。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述测试端子的所述接触区的每个端部为尖状，并且

其中在步骤(d)中，在所述测试端子中的每一个的所述接触区的一部分咬合进所述外部端子中的每一个的状态下，执行电测试。

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述测试端子被重复用于多个半导体器件的电测试。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(d)中，(d1)直至所述金属膜的所述芯材暴露为止，使所述外部端子中的每一个与所述金属膜彼此接触，由此来执行电测试，以及(d2)在所述芯材暴露之后，使所述芯材与所述外部端子彼此接触，由此来执行电测试。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，

其中形成所述芯材的所述第一合金和形成所述金属膜的所述第二合金共同地具有以最大含量被包括在其中的组成元素。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述外部端子的每个表面由焊料形成，并且

其中所述第一和第二合金中的每一种都是在组成元素当中以最大含量包括钯(Pd)元素的钯合金。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述第一和第二合金中的每一种包括电阻率低于钯(Pd)元素的元素。

8.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述第二合金除钯(Pd)元素之外还包括钴(Co)元素。

9.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(d)中，(d3)在重复使用之后，抛光并锐化所述芯材的所述接触区，并且随后，使所述外部端子中的每一个与所述芯材彼此接触，由此来执行电测试。

10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在抛光所述芯材的所述接触区时，在抛光夹具压靠作为所述芯材的待抛光表面的平坦表面的状态下，使所述抛光夹具沿所述平坦表面振动。

11.根据权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在抛光所述芯材的所述接触区时，使所述抛光夹具沿所述平坦表面在彼此交叉的多个方向上振动。

12.根据权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在抛光所述芯材的所述接触区时，使所述抛光夹具沿所述平坦表面旋转移动。

13.根据权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在所述抛光夹具的所述抛光表面上，依次堆叠弹性体层以及包括多个磨粒的抛光磨粒层，所述多个磨粒经由树脂接合在所述弹性体层上。

14.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)制备包括芯片安装部和多个外部端子的基材；

(b)将包括多个电极焊盘的半导体芯片安装到所述基材的所述芯片安装部上；

(c)经由多个导电部件分别将所述半导体芯片的所述电极焊盘与所述基材的所述外部端子电耦合；以及

(d)使所述基材的所述外部端子与多个测试端子的接触区接触，由此将所述半导体芯片与测试电路电耦合，并且执行电测试，

所述外部端子的每个表面由焊料形成，并且

所述测试端子的所述接触区由在组成元素当中以最大含量包括钯(Pd)元素的钯合金形成。