[发明专利]用于对相变存储器单元编程的方法和装置

权利要求书

1.一种用于对具有s＞2个可编程单元状态的相变存储器单元(10)编程的方法，所述方法包括：

施加至少一个控制信号(V_BL，V_WL)以产生用于对所述单元(10)编程的编程脉冲；并且

在所述编程脉冲期间变化至少一个所述控制信号(V_BL，V_WL)以根据待编程的所述单元状态对所述编程脉冲整形并且产生与用于对所述单元状态编程的相应编程轨迹(T_A，T_B，T_C，T_D)对应的多个编程脉冲波形中的所选编程脉冲波形；

其中所选编程脉冲波形对应于包含待编程的所述单元状态的编程轨迹。

2.根据权利要求1所述的方法，包括变化单个所述控制信号(V_BL，V_WL)以对所述编程脉冲整形。

3.根据权利要求1或者2所述的方法，其中所述至少一个控制信号包括向所述单元施加的偏置电压信号(V_BL)。

4.根据权利要求3所述的方法，包括变化所述偏置电压信号(V_BL)以对所述编程脉冲整形。

5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中：

所述单元(10)连接到存取器件(11)，所述存取器件用于根据向所述存取器件施加的存取器件信号(V_WL)控制单元电流；并且

所述至少一个控制信号包括所述存取器件信号(V_WL)。

6.根据权利要求5所述的方法，包括变化所述存取器件信号(V_WL)以对所述编程脉冲整形。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，包括：

选择所述编程脉冲波形；

通过在所述编程脉冲期间变化至少一个所述控制信号(V_BL，V_WL)来产生具有所选波形的所述编程脉冲；

在所述编程脉冲之后检测所述单元状态；并且

根据所检测到的单元状态迭代地产生具有修改的脉冲形状的编程脉冲，并且再次检测所述单元状态，直至满足预先限定的编程标准。

8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述编程脉冲具有预先限定的脉冲宽度。

9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述编程脉冲波形中的至少一些编程脉冲波形各自包括第一部分和第二部分，所述第一部分的幅度一般比所述第二部分的幅度更高，其中所述第一部分和第二部分的相对持续时间针对不同波形而不同。

10.根据权利要求9所述的方法，其中每个波形的所述第二部分的属性根据待编程的所述单元状态可变。

11.根据权利要求9或者10所述的方法，其中每个波形的所述第一部分具有第一恒定幅度并且每个波形的所述第二部分具有第二恒定幅度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中每个波形的所述第二部分的所述幅度根据待编程的所述单元状态可变。

13.一种用于对具有s＞2个可编程单元状态的相变存储器单元(10)编程的装置(3)，所述装置包括：

信号生成器(12)，用于供应至少一个控制信号(V_BL，V_WL)以产生用于对所述单元(10)编程的编程脉冲；以及

控制器(14)，用于控制所述信号生成器(12)以在所述编程脉冲期间变化至少一个所述控制信号(V_BL，V_WL)，以根据待编程的所述单元状态对所述编程脉冲整形并且产生与用于对所述单元状态编程的相应编程轨迹(T_A，T_B，T_C，T_D)对应的多个编程脉冲波形中的所选编程脉冲波形，其中所选编程脉冲波形对应于包含待编程的所述单元状态的编程轨迹。

14.一种相变存储器器件(1)，包括：

存储器(2)，包括具有s＞2个可编程单元状态的多个相变存储器单元(10)；以及

读取/写入装置(3)，用于读取和写入所述相变存储器单元中的数据，其中所述读取/写入装置包括根据权利要求14所述的用于对所述存储器单元(10)编程的装置。