[发明专利]芯片封装方法有效
| 申请号： | 201210444530.6 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931101A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;沈海军 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；
在所述金属焊盘上形成球下金属电极；
在所述球下金属电极表面形成焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。
2.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述金属焊盘的材料为金、铜、铝或者银。
3.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述金属焊盘为再分布式焊盘。
4.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述球下金属电极的材料为金、铜、银中的一种，或者所述球下金属电极的材料为含金、铜、或银的合金。
5.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部。
6.如权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，形成所述球下金属电极的方法为引线键合，包括：
金属引线与金属焊盘键合形成电极体部；
金属引线起弧到待形成电极尾部高度；
线夹切断金属引线，形成球下金属电极。
7.如权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，所述电极尾部高度为所述电极体部高度的0.005~1.5倍。
8.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述球下金属电极表面形成有覆盖层，所述覆盖层具有第二围裙结构，所述第二围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。
9.如权利要求8所述的芯片封装方法，其特征在于，所述覆盖层为防扩散层和浸润层的堆叠结构，所述防扩散层位于所述球下金属电极表面，所述浸润层位于所述防扩散层表面。
10.如权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述防扩散层具有第三围裙结构，所述防扩散层的形成方法为化学镀。
11.如权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述防扩散层的材料为镍。
12.如权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述防扩散层的厚度为0.05μm至5μm。
13.如权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述浸润层具有第四围裙结构，所述浸润层的形成方法为化学镀。
14.如权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述浸润层的材料为锡、金、银中的一种，或者所述浸润层的材料为含锡、金、或银的合金。
15.如权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述浸润层的厚度为0.05μm至10μm。
16.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述焊球通过印刷工艺形成。
17.如权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述焊球的材料为锡或者锡合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
