[发明专利]一种具有倾斜侧壁刻蚀孔的刻蚀方法

权利要求书

1.一种具有倾斜侧壁的刻蚀孔的刻蚀方法，所述刻蚀方法用于刻蚀基片，所述基片上包括依次叠层的一层刻蚀停止层（30），一层待刻蚀的目标材料层（10）和一层图形化的掩膜层（20），所述刻蚀方法包括：

以所述掩膜层（20）为掩膜，以第一刻蚀工艺刻蚀目标材料层，形成刻蚀孔与下方刻蚀停止层（30）形成第一夹角；

以第二刻蚀工艺刻蚀去除所述掩膜层（20）；

以第三刻蚀工艺刻蚀所述去除掩膜层后的目标材料层，直到所述形成修正后的刻蚀孔，修正后的刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面形成的第二夹角小于80度。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述目标材料层为晶体硅。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述修正后的刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面的第二夹角大于45度小于80度。

4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一夹角大于85度小于95度。

5.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述的刻蚀停止层（30）选自晶体硅、氮化硅、氧化硅之一。

6.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为有机材料层构成的填充物。

7.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为：交替通入刻蚀气体和聚合物形成气体直到形成第一深度的刻蚀孔；第二刻蚀工艺是通入含氧气体并形成等离子体或者放入含氧化剂的光刻胶去除溶液。

8.如权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于所述第三刻蚀工艺是通入刻蚀气体SF6和O2，SF6气体流量大于O2流量。

9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺形成的刻蚀孔深度大于10um，且大于等于所述第三刻蚀工艺形成的修正后的刻蚀孔深度。

10.一种具有倾斜侧壁的刻蚀孔刻蚀方法，所述刻蚀方法用于刻蚀基片，基片上包括依次叠层的一层刻蚀停止层（30），一层待刻蚀的目标材料层（10）和一层图形化的掩膜层（20），所述刻蚀方法包括：

以所述掩膜层（20）为掩膜，以第一刻蚀工艺刻蚀目标材料层，形成刻蚀孔与下方刻蚀停止层（30）形成第一夹角，所述刻蚀孔具有第一口径；以第二刻蚀工艺刻蚀去除所述第一刻蚀孔周围掩膜层（20），使掩膜层上开口具有第二口径，所述第二口径大于第一口径；

以第三刻蚀工艺刻蚀所述去除掩膜层后的目标材料层，直到所述形成修正后的刻蚀孔，修正后的刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面形成的第二夹角小于80度；

去除目标材料层上方的剩余掩膜层。

11.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于所述修正后的刻蚀孔顶部包括一个台阶状刻蚀环围绕在刻蚀孔上端。

12.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于所述刻蚀目标材料层为晶体硅材料层，且所述刻蚀孔深度大于10um。

13.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面的第二夹角大于45度小于80度。

14.如权利要求1或10所述的刻蚀方法，其特征在于所述刻蚀目标材料层为绝缘材料层或有机材料层。

15.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一夹角大于85度小于95度。