[发明专利]一种平行透镜闭环电源的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件制造电源控制系统，尤其涉及离子注入机的一种平行透镜闭环电源的控制方法。

背景技术

半导体集成电路制造工艺已发展到12英寸晶片、纳米技术节点时期。随着晶圆片尺寸越来越大，单元器件尺寸越来越小，对半导体工艺设备的性能要求也就越来越高。离子注入机是半导体集成电路器件制造工艺中必不可少的关键设备。为了提高离子注入机的性能，使其满足现代大晶圆片、纳米器件生产工艺的要求和适应将来半导体工艺技术的发展，必须要开发高效的全自动控制系统。

离子控制器中，平行透镜磁场控制，尤为重要，而电源的控制直接影响磁场。通过平行透镜闭环电源的控制方法，可以多次调整磁场，降低误差。

发明内容

本发明是针对离子注入机现有技术中平行透镜闭环电源的控制，为了更加准确的控制平行透镜电源。

本发明通过以下技术方案实现：

1.根据引束要求，设置平行透镜输入值(1)。

2.其中平行透镜输入值(1)通过PSI1(2)的D/A转换，通过改变电源值，间接改变磁场，在平行透镜中通过高斯计得到的磁场值(5)经过PSI2(6)的A/D转换，之后经过PID算法计算得到的高斯值(8)。

3.通过比较平行透镜的输入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)，如果平行透镜的输入值过高，则增大电源值，从而使磁场增强，也使PID算法得到的高斯值增加。如果平行透镜的输入值过低，则减小电源值，从而使磁场减弱，也使PID算法得到的高斯值减小。通过形成闭环，多次校准，调节平行透镜电源。通过平行透镜输入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)进行比较，使得PID算法得到的高斯值无限接近输入值。

本发明具有如下显著优点：

1.通过平行透镜输入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)多次比较校准，得到高斯值无限接近输入值，有效的减少误差。

附图说明

图1为离子注入机平行透镜电源控制流程图。

图2为离子注入机平行透镜电源校准说明图。

具体实施方式

下面结合附图1和附图2对本发明作进一步的介绍，但不作为对本发明的限定。

如图1中所示，根据引束要求，设置平行透镜输入值(1)。其中平行透镜输入值(1)通过PSI1(2)的D/A转换，通过改变电源值，间接改变磁场，在平行透镜中通过高斯计得到的磁场值(5)经过PSI2(6)的A/D转换，之后经过PID算法计算得到的高斯值(8)。通过比较平行透镜的输入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)。通过平行透镜输入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)进行比较，使得PID算法得到的高斯值无限接近输入值。

如图2中所示，横坐标为时间(T)。纵坐标为高斯值。平行横坐标的直线表示平行透镜输入值，曲线为PID算法得到的高斯值，通过比较值。具体方法为：如果平行透镜的输入值过高，则增大电源值，从而使磁场增强，也使PID算法得到的高斯值增加。如果平行透镜的输入值过低，则减小电源值，从而使磁场减弱，也使PID算法得到的高斯值减小。最后使PID算法得到的高斯值无限接近输入值。

本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。