[发明专利]基板冷却系统、基板处理装置、静电吸盘及基板冷却方法有效
申请号: | 201210445105.9 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN103107119A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 古屋敦城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却系统 处理 装置 静电 吸盘 冷却 方法 | ||
1.一种基板冷却系统,其包括:基板载置台,其用于载置基板;静电吸盘,其设于该基板载置台的用于载置上述基板的表面且用于静电吸附上述基板;气体供给系统,其用于向上述被静电吸附的基板与上述静电吸盘之间的导热空间供给温度调整气体,
其特征在于,
将上述导热空间的厚度设定为50μm以下,
上述气体供给系统将3Torr以下即400Pa以下的氮气或氧气作为上述温度调整气体供给到上述导热空间。
2.根据权利要求1所述的基板冷却系统,其特征在于,
将上述导热空间的厚度设定为10μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的基板冷却系统,其特征在于,
在上述静电吸盘的用于吸附上述基板的吸附面上设有多个凸部。
4.根据权利要求1或2所述的基板冷却系统,其特征在于,
平滑地形成上述静电吸盘的用于吸附上述基板的吸附面。
5.一种基板处理装置,其包括:收纳室,其用于收纳基板;基板载置台,其配置于该收纳室内且用于载置上述基板,上述基板载置台具有:静电吸盘,其设于该基板载置台的用于载置上述基板的表面且用于静电吸附上述基板;气体供给系统,其用于向上述被静电吸附的基板与上述静电吸盘之间的导热空间供给温度调整气体,
其特征在于,
将上述导热空间的厚度设定为50μm以下,
上述气体供给系统将3Torr以下的氮气或氧气作为上述温度调整气体供给到上述导热空间。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
将上述导热空间的厚度设定为10μm以下。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述静电吸盘的用于吸附上述基板的吸附面上设有多个凸部。
8.根据权利要求5或6所述的基板处理装置,其特征在于,
平滑地形成上述静电吸盘的用于吸附上述基板的吸附面。
9.一种静电吸盘,其设于用于载置基板的基板载置台的用于载置上述基板的表面且用于静电吸附上述基板,
其特征在于,
在该静电吸盘与上述被静电吸附的基板之间形成有导热空间,
将上述导热空间的厚度设定为50μm以下,
将3Torr以下的氮气或氧气作为温度调整气体供给到上述导热空间。
10.根据权利要求9所述的静电吸盘,其特征在于,
将上述导热空间的厚度设定为10μm以下。
11.根据权利要求9或10所述的静电吸盘,其特征在于,
在静电吸盘的用于吸附上述基板的吸附面上设有多个凸部。
12.根据权利要求9或10所述的静电吸盘,其特征在于,
平滑地形成静电吸盘的用于吸附上述基板的吸附面。
13.一种基板冷却方法,其用于对载置在基板载置台上的基板进行冷却,
其特征在于,
该基板冷却方法包括:
基板吸附步骤,设于上述基板载置台的用于载置上述基板的表面的静电吸盘静电吸附上述基板;
气体供给步骤,在执行该静电吸附步骤期间,向上述被静电吸附的基板与上述静电吸盘之间的导热空间供给温度调整气体,
将上述导热空间的厚度设定为50μm以下,
在上述气体供给步骤中,将3Torr以下的氮气或氧气作为上述温度调整气体供给到上述导热空间。
14.根据权利要求13所述的基板冷却方法,其特征在于,
将上述导热空间的厚度设定为10μm以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造