[发明专利]透射式电子束泵浦的发光管无效
申请号: | 201210445111.4 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN102983496A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 张学渊;钟伟杰;赵健;夏忠平 | 申请(专利权)人: | 上海显恒光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/04 | 分类号: | H01S5/04;H01S5/34 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透射 电子束 发光 | ||
1.透射式电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构,所述电致发光半导体机构生成在一底座上,其特征在于,还包括一激励源,所述激励源采用一电子枪系统;
所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上。
2.根据权利要求1所述的透射式电子束泵浦的发光管,其特征在于:所述电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层,构成半导体发光结构。
3.根据权利要求2所述的透射式电子束泵浦的发光管,其特征在于:相邻的两层所述电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层,从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。
4.根据权利要求3所述的透射式电子束泵浦的发光管,其特征在于:所述半导体发光结构包括至少两种不同材质的所述电致发光半导体层,且包含至少三层所述电致发光半导体层,相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层。
5.根据权利要求3所述的透射式电子束泵浦的发光管,其特征在于:所述半导体发光结构包括两种不同材质的所述电致发光半导体层,且包含至少三层所述电致发光半导体层,相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层,即,两种材质的所述电致发光半导体层交替排列构成层叠式结构。
6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的透射式电子束泵浦的发光管,其特征在于:所述电子枪系统包括一真空腔室,自所述真空腔室一端向另一端依次排布有电子枪、电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构、电致发光半导体机构、光出射口;
所述电子枪发出的电子束依次经过电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构,形成呈现扫描状态的高能电子束,打入所述电致发光半导体机构,为光发射提供能量。
7.根据权利要求6所述的透射式电子束泵浦的发光管,其特征在于:所述电致发光半导体机构依次为反射镜、限制层、至少两层所述电致发光半导体层、限制层,以及所述底座,所述底座采用透光材质;所述底座固定在所述出光口处,并朝向外侧;所述反射镜朝向所述电子枪方向。光线穿过透光的底座发射到外界。
8.根据权利要求6所述的透射式电子束泵浦的发光管,其特征在于:还包括一电致发光半导体机构冷却系统,所述电致发光半导体机构冷却系统包括歧管、热交换系统、冷却液,所述冷却液设置在所述歧管内,所述热交换系统连接所述歧管的入口和出口,所述歧管包括设置在所述电致发光半导体机构周边的周边歧管。
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