[发明专利]两工位晶圆预对准装置无效
申请号: | 201210445383.4 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN103811388A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 曲道奎;何以刚;张鹏;温燕修;王富刚;冯亚磊 | 申请(专利权)人: | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 两工位晶圆预 对准 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种能识别晶圆偏心及缺口并预对准的技术领域,具体地讲,是指一种两工位晶圆预对准装置。
背景技术
随着半导体行业的发展,对晶圆需求不断提高,对与晶圆传输及处理密切相关的晶圆预对准装置效率的要求也相应提高。目前,为了提高晶圆预对准的效率,出现了带缓冲台的晶圆预对准装置。然而,在这些装置中,为了使晶圆从工作台转移至缓冲台的过程中不受碰撞,需要设置避让机构来实现避让。这增加了系统的复杂程度及设备成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种两工位晶圆预对准装置,其可克服上述缺陷,使用方便,机构简单。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种两工位晶圆预对准装置,其包括机座、卡爪组件、撑托组件及传感器,所述的机座内设有驱动装置,所述的驱动装置带动所述的卡爪组件转动或作升降运动,所述的撑托组件及传感器设于所述的机座上,所述的撑托组件至少两个,每个撑托组件包括有两个撑托接触单元,所述的两个撑托接触单元分为两层设置。
上述的撑托组件包括一撑托及两撑托接触单元,所述的两撑托接触单元的一端固设在所述的撑托上。
上述的两撑托接触单元的前端成形为台阶状。
优选地,上述的撑托组件为三个,以所述的卡爪组件为中心均匀分布在所述的机座上。
优选地,上述的卡爪组件,还包括卡爪轴、卡爪臂及卡爪接触单元,所述的卡爪臂为一组,所述的卡爪臂的一端设在所述的卡爪轴上,所述的卡爪臂的另一端设有卡爪接触单元。
上述的卡爪接触单元活动设置在所述的卡爪臂上。
上述的卡爪接触单元能在所述的卡爪臂伸展的方向上平移。
上述的传感器为透光式传感器。
优选地,上述的传感器包括有用于检测晶圆缺口的光线发射端与光线接收端。
优选地,上述的传感器所发射的光线与所述的卡爪轴的轴线平行。
采用上述技术方案后,与现有相比,首先,撑托组件的双层设置,使晶圆可以在上下两个工位处被预对准,提高效率;其次,简化设备结构,减少驱动。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是图1的局部放大图;
图3是将要放置晶圆的示意图;
图4是是将晶圆放置在撑托组件的上层的示意图;
图5是卡爪组件将晶圆托起的示意图;
图6是卡爪组件带动晶圆脱离撑托组件并旋转的示意图;
图7是是卡爪组件将晶圆放回撑托组件上层的示意图;
图8是机械手放置第二晶圆并取走第一晶圆的示意图;
图9是卡爪组件托起第二晶圆的示意图;
图10是机械手放置第三晶圆并取走第二晶圆的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参考图1所示,本发明公开了一种两工位预对准装置,其包括机座1、卡爪组件2、撑托组件3及传感器4,其中:
机座1内设有驱动装置,该驱动装置能带动卡爪组件2转动或作升降运动,撑托组件3及传感器4设于机座1上,撑托组件3至少两个,每个撑托组件3包括有两个撑托接触单元31、32,两个撑托接触单元31、32分为两层设置。
在本实施例中,撑托组件3为三个,以卡爪组件2为中心均匀分布在机座1上。且,撑托组件3包括两撑托接触单元31、32及一撑托33,两撑托接触单元31、32的一端固设在撑托33上,在本实施例中,撑托33及两撑托接触单元31、32一体成形。
配合图2所示,两撑托接触单元31、32的前端成形为台阶状311、321。当晶圆5放置时,可恰好位于台阶状311、321上。
参考图1所示,卡爪组件2,包括卡爪轴21、卡爪臂22及卡爪接触单元23,其中:
卡爪轴21与机座1内的驱动装置相连,其可在驱动装置的带动下转动或作升降运动。
卡爪臂22为一组,在本实施例中,卡爪臂22设有三个;卡爪臂22的一端设在卡爪轴21上,另一端设有卡爪接触单元23。卡爪臂22可在卡爪轴21的带动下旋转或升降。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳新松机器人自动化股份有限公司,未经沈阳新松机器人自动化股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210445383.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:测试结构和测试方法
- 下一篇:一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造