[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201210445565.1 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931159A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层；位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层，所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平；位于所述扩散阻挡层表面的焊球。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：位于所述扩散阻挡层表面的浸润层，所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的浸润层表面齐平，所述焊球位于所述浸润层表面。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述浸润层的材料至少包括金元素、银元素、铟元素和锡元素中的一种。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述扩散阻挡层为镍层。
5.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述扩散阻挡层位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面、柱状电极底部周围暴露的金属互连结构表面，所述扩散阻挡层的剖面形状为“几”字形。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，位于所述扩散阻挡层表面的浸润层的剖面形状为“几”字形。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属互连结构为焊盘和位于所述焊盘表面的电镀种子层，所述电镀种子层上形成有柱状电极。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属互连结构包括焊盘、位于所述焊盘表面的电镀种子层和位于所述电镀种子层表面的再布线金属层，所述再布线金属层上形成有柱状电极。
9.如权利要求7或8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：位于所述绝缘层表面的第一钝化层，且所述第一钝化层覆盖部分焊盘。
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