[发明专利]一种等离子反应器及其处理方法有效

专利信息
申请号: 201210445691.7 申请日: 2012-11-08
公开(公告)号: CN103811260A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 叶如彬;黄智林 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67;H05H1/46
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子 反应器 及其 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子反应器,包括:一个反应腔,反应腔内包括一个基座,基座内包括一个下电极,与基座相对的一个上电极,上电极外周围围绕有一个绝缘材料环其特征在于:

所述上电极和绝缘材料环的下表面镀有一层绝缘材料层,一个点燃电极植入所述绝缘材料环,所述点燃电极通过一个可控开关连接选择性的连接到一个高压电源。

2.如权利要求1所述的等离子反应器,其特征在于所述高压电源输出电压大于500V小于10000V。

3.如权利要求1所述的等离子反应器,其特征在于所述绝缘材料层厚度大于10微米小于5毫米。

4.如权利要求1所述的等离子反应器,其特征在于所述点燃电极与上电极之间距离大于1毫米小于10毫米。

5.如权利要求1所述的等离子反应器,其特征在于所述绝缘材料环内还包括一个第二点燃电极,且连接到接地端。

6.如权利要求5所述的等离子反应器,其特征在于所述点燃电极和第二点燃电极之间的距离小于10毫米。

7.如权利要求1所述的等离子反应器,其特征在于还包括一个环状点燃电极位于上电极下方环绕上下电极间的处理空间,所述环状点燃电极到上电极的距离小于到基座上方晶圆的距离,且所述点燃电极表面镀有绝缘材料层。

8.一种等离子反应器,所述反应器包括:一个反应腔,反应腔内包括一个基座基座内包括一个下电极,与基座相对的一个上电极,上电极外周围围绕有一个绝缘材料环其特征在于:

所述上电极的下表面镀有一层绝缘材料层,包括一个环状点燃电极位于上电极下方并环绕上下电极间的处理空间,所述环状点燃电极到上电极的距离小于到基座上方晶圆的距离,且所述点燃电极表面镀有绝缘材料层,所述点燃电极通过一个可控开关连接选择性的连接到一个高压电源。

9.如权利要求8所述的等离子反应器,其特征在于所述高压电源输出电压大 于500V小于10000V,且所述环状点燃电极到上电极的距离小于10毫米。

10.一种等离子反应器处理方法,所述反应器包括一个反应腔,反应腔内包括一个基座基座内包括一个下电极,与基座相对的一个上电极,上电极外周围设置有一个点燃电极,所述处理方法包括步骤:

通入反应气体达到一个点燃气压,进入点燃步骤,施加一个500-10000V高压到所述点燃电极产生微等离子;

施加一个射频电压到所述上电极和下电极之一,进入等离子处理步骤。

11.如权利要求10所述的处理方法,其特征在于进入等离子处理步骤时调整反应腔内的气压达到处理气压,所述处理气压小于等于所述点燃气压。

12.如权利要求10所述的处理方法,其特征在于施加所述高压到所述点燃电极的时间早于所述施加射频电压的施加t秒,且0≤t≤1。 

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