[发明专利]一种酸性化学机械抛光液无效
| 申请号： | 201210445896.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103806002A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 高嫄;王雨春 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F3/06 | 分类号： | C23F3/06;C23F3/03 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 酸性 化学 机械抛光 | ||
1.一种酸性化学机械抛光液，含有：研磨颗粒，水，氧化剂，其特征在于：所述抛光液还含有磨削促进剂，所述磨削促进剂能溶解在抛光液中并电离出金属离子。
2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述研磨颗粒选自二氧化硅、氧化钛、氧化铈、氧化锆和氧化铝中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的抛光液，其特征在于，所述的研磨颗粒为溶胶二氧化硅和氧化钛。
4.根据权利要求3所述的抛光液，其特征在于，所述的研磨颗粒为溶胶二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述的研磨颗粒的质量百分比含量为0.1-3wt%。
6.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒的平均粒径为5-200nm。
7.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒的平均粒径为10-100nm。
8.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述的磨削促进剂为含有银离子的化合物。
9.根据权利要求8所述的抛光液，其特征在于，所述的磨削促进剂为硝酸银，硫酸银，氟化银和/或高氯酸银。
10.根据权利要求9所述的抛光液，其特征在于，所述的磨削促进剂为硝酸银。
11.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述的磨削促进剂的质量百分比含量为0.0005-0.1wt%。
12.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述的氧化剂为过氧化氢及其衍生物。
13.根据权利要求12所述的抛光液，其特征在于，所述的氧化剂为过氧化氢。
14.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述的氧化剂的质量百分比含量为0.1-1wt%。
15.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述的抛光液pH值为4.0-7.0。
16.根据权利要求15所述的抛光液，其特征在于，所述的抛光液pH值为5.0-7.0。
17.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液还包含稳定剂、抑制剂和/或杀菌剂。
18.一种含有银离子化合物的抛光液，在提高存储器硬盘抛光速率中的应用。
19.如权利要求18所述的抛光液，其特征在于：所述含有银离子化合物为硝酸银，硫酸银，氟化银和/或高氯酸银。
20.如权利要求1-19任一项所述的抛光液，在抛光存储器硬盘中的应用。
21.如权利要求20所述的应用，其特征在于，所述存储器硬盘包含镍磷金属。
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