[发明专利]RFLDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种RFLDMOS器件，位于P型硅衬底上的轻掺杂P型外延中，外延中具有N型轻掺杂漏极漂移区及与之抵靠接触的P型沟道区；所述N型轻掺杂漏极漂移区中，包含所述RFLDMOS器件的漏区，漏区表面具有金属硅化物引出所述RFLDMOS器件的漏极；所述P型沟道区中，包含有重掺杂P型沟道连接区及与之抵靠接触的重掺杂N型区，重掺杂N型区即所述RFLDMOS器件的源区；所述重掺杂P型沟道连接区和RFLDMOS的源区表面覆盖一层金属硅化物引出所述RFLDMOS的源极；在P型沟道区与N型轻掺杂漏极漂移区交界上方的硅表面上方具有栅氧化层，栅氧化层上覆盖多晶硅栅极及金属硅化物，多晶硅栅极及栅氧化层两端具有栅极侧墙，金属硅化物、靠漏侧的侧墙、以及漏侧侧墙与漏区金属硅化物之间的N型轻掺杂漏极漂移区上均包裹介质层，多晶硅栅极上的金属硅化物靠漏区的部分上及N型轻掺杂漏极漂移区上的介质层上均覆盖一层金属层形成金属法拉第杯层；在整个器件表面具有层间介质，在重掺杂P型沟道连接区远离漏区的一侧的轻掺杂P型外延中还具有钨塞，钨塞底部连接到P型衬底中，钨塞上部也穿通层间介质；其特征在于：

所述栅氧化层在多晶硅栅极下具有坡度，且靠漏区一侧的栅氧化层的厚度大于靠源区一侧的栅氧化层；

第一P型埋层位于P型沟道区中，且第一P型埋层中还具有第二P型埋层；所述的第一P型埋层及第二P型埋层连接钨塞及重掺杂P型沟道连接区。

2.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件，其特征在于：所述的第一P型埋层为轻掺杂，所述第二P型埋层为中等掺杂。

3.根据权利要求1所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：

第1步，在P型衬底上生长P型外延层；在其上方生长第一次栅氧，光刻打开源端及靠源的部分栅极，进行P型离子注入形成第一埋层；

第2步，湿法去除光刻打开区的第一次栅氧；湿法刻蚀在光刻胶与栅氧之间形成底切；

第3步，去除光刻胶；生长第二次栅氧，再淀积N型重掺杂的多晶硅，或者淀积非掺杂的多晶硅；

第4步，制作栅极，栅极形成在斜坡处的栅氧上方；保留栅极多晶硅上的光刻胶，再进行高剂量的N型离子注入形成N型轻掺杂漏极漂移区；再利用光刻胶盖住漏区及部分多晶硅栅极，源区和其余部分多晶硅栅极暴露，进行P型沟道离子注入；去除光刻胶，进行长时间高温推进形成P型沟道和轻掺杂漏极漂移区；由于P型离子剂量比N型漂移区注入的要大，在源端的N型区被反型为P型；

第5步，光刻打开局域P型埋层窗口，进行P型离子注入，注入区域在栅极的外侧并和后续的重掺杂P型区离子注入区有部分重叠；

第6步，去除光刻胶，制作栅极侧墙，并进行漏区和源区的离子注入；以及连接P型沟道的P型重掺杂离子注入；并进行快速热退火激活埋层、源漏区和重掺杂P型区；

第7步，打开源漏区需要金属硅化的区域，进行金属硅化工艺，在源漏和多晶硅栅极上形成金属硅化物；

第8步，淀积一介质层和金属法拉第杯层；光刻和干刻形成法拉第杯，干刻停在介质层上；

第9步，淀积接触孔前介质，通过光刻和干刻打开介质层，并进一步刻蚀P型外延层形成深沟槽，所述深沟槽的底部位于P型衬底中；

第10步，刻蚀接触孔，淀积钛、氮化钛过渡金属以及金属钨从而形成钨下沉连接通道和接触孔，形成器件。

4.根据权利要求3所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第1步中，P型衬底为重掺杂，掺杂浓度为10²⁰cm^-3以上，P型外延层为轻掺杂，掺杂浓度为10¹⁴～10¹⁶cm^-3；其中P型外延层厚度每增加1μm，器件的击穿电压提高14～18V；所述栅氧厚度为P型埋层注入离子为硼，注入能量为120～300KeV，剂量为10¹²～10¹³cm^-2。

5.根据权利要求3所述的RFLDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第3步中，第二次生长的栅氧化层的厚度在N型掺杂多晶硅厚度为掺杂离子为磷或砷，浓度大于10²⁰cm^-3。